| 中文摘要 | 第1-7页 |
| 英文摘要 | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-14页 |
| ·研究背景与现状 | 第12-13页 |
| ·本文的主要工作 | 第13-14页 |
| 第二章 氢化纳米硅薄膜基本性质、制备与表征 | 第14-30页 |
| ·常见硅基材料的分类 | 第14-16页 |
| ·单晶硅(c-Si) | 第14页 |
| ·非晶硅(a-Si) | 第14页 |
| ·单晶-非晶混相硅基材料 | 第14-15页 |
| ·氢化纳米硅(nc-Si:H) | 第15-16页 |
| ·纳米硅(nc-Si)薄膜的制备方法 | 第16-21页 |
| ·物理沉积方法 | 第16-18页 |
| ·化学沉积方法 | 第18-21页 |
| ·氢化纳米硅(nc-Si)薄膜的生长机制 | 第21页 |
| ·氢化纳米硅(nc-Si)薄膜基本性质表征实验手段 | 第21-27页 |
| ·透射电镜(TEM)及高分辨透射电镜(HRTEM) | 第21-22页 |
| ·X射线衍射谱(XRD) | 第22-23页 |
| ·红外(IR)吸收谱和透射谱 | 第23-24页 |
| ·拉曼散射(Raman)光谱分析 | 第24-25页 |
| ·光致发光谱(PL) | 第25-26页 |
| ·椭圆偏振(SE) | 第26页 |
| ·电学测试 | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 参考文献 | 第28-30页 |
| 第三章 氢化纳米硅薄膜光电器件及其测试系统 | 第30-41页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·纳米硅光电器件介绍 | 第30-31页 |
| ·纳米硅发光二极管 | 第30页 |
| ·新型太阳电池 | 第30-31页 |
| ·纳米硅薄膜光电器件光电流谱测试系统 | 第31-39页 |
| ·傅里叶光谱仪 | 第31-36页 |
| ·HR450 光谱仪光电流测量系统 | 第36-37页 |
| ·KETHLEY 电学测量系统 | 第37-39页 |
| ·CTI-Cryogenics 液氦低温循环制冷系统 | 第39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-41页 |
| 第四章 氢化纳米硅薄膜光电流响应谱研究分析 | 第41-69页 |
| ·引言 | 第41页 |
| ·nc-Si(n)/c-Si(p)样品参数 | 第41-45页 |
| ·Cp 系列样品生长条件 | 第41-42页 |
| ·由拉曼光谱获得CP系列样品量子点粒径分布 | 第42-45页 |
| ·nc-Si(n)/c-Si(p)异质结的能带图 | 第45-52页 |
| ·nc-Si(n)/c-Si(p)光电流响应研究 | 第52-67页 |
| ·nc-Si(n)/c-Si(p)光电流响应机理 | 第52-54页 |
| ·纳米硅晶粒尺寸分布及其对光电流响应的调控 | 第54-55页 |
| ·量子点光吸收模型 | 第55-59页 |
| ·量子点内载流子输运模型 | 第59-63页 |
| ·nc-Si(n)/c-Si(p)异质结光电流实验结果分析讨论 | 第63-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-69页 |
| 第五章 氢化纳米硅薄膜内多重激子效应 | 第69-75页 |
| ·引言 | 第69页 |
| ·多重极子效应在太阳电池中的应用 | 第69-72页 |
| ·单节晶体硅电池的效率瓶颈 | 第69-71页 |
| ·纳米材料中的多重激子效应对光电转化效率的提 | 第71-72页 |
| ·光电流响应谱研究纳米硅薄膜中多重极子效应 | 第72-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-75页 |
| 第六章 结论 | 第75-77页 |
| ·本文的主要结论和创新点 | 第75-76页 |
| ·下一步工作及展望 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和荣誉 | 第78页 |
