| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| ·铟镓氮和氮化镓的晶体结构 | 第10页 |
| ·半导体异质结构简介 | 第10-11页 |
| ·InGaN/GaN 半导体异质结构的研究进展 | 第11-14页 |
| ·闪锌矿InGaN/GaN 半导体异质结构的研究现状 | 第14-16页 |
| 第二章 闪锌矿InGaN/GaN 对称耦合多量子阱中的类氢杂质态 | 第16-26页 |
| ·多量子阱的概念 | 第16-17页 |
| ·外电场影响下，研究对称耦合多量子阱中类氢杂质态的理论模型 | 第17-18页 |
| ·计算结果分析与讨论 | 第18-24页 |
| ·小结 | 第24-26页 |
| 第三章 外电场对闪锌矿InGaN/GaN 单量子点中的激子及相关光学性质的影响 | 第26-38页 |
| ·激子概念 | 第26-27页 |
| ·理论模型 | 第27-29页 |
| ·计算结果与讨论 | 第29-36页 |
| ·小结 | 第36-38页 |
| 第四章 闪锌矿InGaN/GaN 非对称耦合量子点中的类氢杂质态 | 第38-44页 |
| ·理论模型 | 第38-39页 |
| ·计算结果分析与讨论 | 第39-43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| 第五章 外电场对闪锌矿InGaN/GaN 对称耦合量子点中的施主杂质态的影响 | 第44-50页 |
| ·理论模型 | 第44-45页 |
| ·计算结果分析与讨论 | 第45-49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| 第六章 结论 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 附录A:没有外电场情况下，多量子阱中的电子波函数及相应能量本征值的求解过程 | 第56-64页 |
| 附录B:有外电场情况下，多量子阱中的电子波函数及相应能量本征值的求解过程 | 第64-72页 |
| 附录C:在有效质量近似下，量子阱中杂质能量的表达式 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第76-78页 |
