| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 1 绪论 | 第7-12页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·研究背景及动机 | 第8-10页 |
| ·本文主要的研究内容 | 第10-12页 |
| 2 基本原理及数值模拟方法 | 第12-22页 |
| ·薛定谔方程和泊松方程 | 第12-13页 |
| ·界面态电荷 | 第13-15页 |
| ·泊松方程和薛定谔方程的自洽求解 | 第15-17页 |
| ·有限差分格式 | 第15页 |
| ·算法流程 | 第15-16页 |
| ·Newton-Raphson方法求解泊松方程 | 第16-17页 |
| ·准静态栅电容-电压 | 第17-18页 |
| ·直接隧穿电流 | 第18-21页 |
| ·界面碰撞频率 | 第19页 |
| ·电子隧穿寿命 | 第19-21页 |
| ·本章小结 | 第21-22页 |
| 3 超薄HfO_2栅nMOS结构的电容-电压特性模拟 | 第22-33页 |
| ·多体交换关联效应和镜像力的影响 | 第22-25页 |
| ·多体交换关联效应的影响 | 第22-23页 |
| ·镜像力的影响 | 第23-25页 |
| ·电子隧穿效应的影响 | 第25-26页 |
| ·界面态电荷效应的影响 | 第26-28页 |
| ·准静态电容-电压数值模拟及分析 | 第28-31页 |
| ·三种模型对比 | 第28-29页 |
| ·界面态电荷效应 | 第29-31页 |
| ·本章小结 | 第31-33页 |
| 4 超薄HfO_2栅pMOS结构的隧穿电流的模拟 | 第33-43页 |
| ·基本理论原理 | 第33-37页 |
| ·薛定谔方程 | 第33页 |
| ·空穴有效质量的计算 | 第33-35页 |
| ·金属电极上电子隧穿电流 | 第35-37页 |
| ·空穴直接隧穿电流 | 第37-39页 |
| ·三带模型 | 第37-38页 |
| ·有效单带模型 | 第38-39页 |
| ·隧穿电流数值模拟及分析 | 第39-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 5 主要结论与展望 | 第43-45页 |
| ·主要结论 | 第43-44页 |
| ·展望 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-51页 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-54页 |