首页--数理科学和化学论文--物理学论文--半导体物理学论文--半导体性质论文

利用UHV-STM研究Si(5 5 12)表面上的局域面和铟因素诱导的小琢面

摘要第1-8页
Abstract第8-17页
第一章 引言第17-30页
   ·研究背景第17-18页
   ·纳米制造技术的研究现状第18-19页
   ·Si(5 5 12)表面结构第19-21页
   ·Herring小面化理论第21-23页
   ·金属原子吸附在Si表面上的研究第23-30页
第二章 扫描隧道显微镜(STM)原理及实验方法第30-38页
   ·扫描隧道显微镜的原理与应用第30-35页
   ·实验条件及方法第35-38页
第三章 Si(5 5 12)表面上的(1 1 3)和(6 9 17)小面第38-45页
   ·Si(1 1 3)表面第40-42页
   ·Si(6 9 17)表面第42-45页
第四章 定量测定高指数硅表面上局域面方向第45-48页
第五章 定量测定高指数硅表面上小琢面方向第48-55页
第六章 结论第55-57页
参考文献第57-67页
致谢第67-68页
附录(攻读硕士学位期间发表论文目录)第68-69页

论文共69页,点击 下载论文
上一篇:三元碱金属氢化物高压相变的第一性原理研究
下一篇:层状氧化物NaxCoO2电输运特性的理论研究