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ZnO/Si异质结构晶界行为及其载流子输运机制研究

摘要第1-7页
Abstract第7-14页
第1章 绪论第14-36页
   ·ZnO材料概述第15-16页
   ·非掺杂Si基ZnO薄膜中的本征缺陷和电学性质第16-18页
   ·Si基ZnO薄膜的光学性质第18-19页
   ·ZnO薄膜特性及其应用第19-22页
     ·透明导电薄膜第19页
     ·声表面波器件第19-20页
     ·发光器件第20-21页
     ·紫外探测器件第21-22页
   ·几种Si基ZnO薄膜制备方法简介第22-27页
     ·Sol-Gel法第23-24页
     ·磁控反应溅射法第24-26页
     ·激光脉冲沉积法第26-27页
   ·本论文的研究意义和内容第27-29页
 参考文献第29-36页
第2章 Si基ZnO薄膜制备工艺以及表征方法和原理第36-56页
   ·引言第36-38页
     ·MOCVD方法沉积Si基ZnO薄膜的工艺参数第36-37页
     ·Sol-Gel方法沉积Si基ZnO薄膜的工艺参数第37页
     ·RF Reactive Sputtering方法沉积Si基ZnO薄膜的工艺参数第37页
     ·PLD方法沉积Si基ZnO薄膜的工艺参数第37-38页
   ·试样的欧姆接触原理及制备第38-39页
   ·ZnO/Si薄膜的形貌和结构表征第39-44页
     ·原子力显微镜基本工作原理第40-41页
     ·X射线衍射分析的基本工作原理第41-43页
     ·椭圆偏振光法基本原理第43-44页
   ·ZnO/Si异质结构的电学方法表征和参数分析方法第44-51页
     ·ZnO/Si异质结构的I-V方法测量和分析方法第44-48页
     ·ZnO/Si异质结的C-V方法测量和分析方法第48-51页
 参考文献第51-56页
第3章 Si基ZnO薄膜中的深能级中心测试技术第56-82页
   ·引言第56-57页
     ·深能级中心测试的理论基础第57-72页
     ·载流子的复合中心理论第57-64页
     ·结空间电荷区的瞬变分析理论第64-67页
     ·等温条件下的瞬态分析第67-72页
   ·DLTS方法的半导体中深能级测量第72-79页
     ·DLTS原理第72-76页
     ·N.J.M.DLTS仪器的构成和工作原理第76-77页
     ·热激电流法原理第77-79页
 参考文献第79-82页
第4章 Si基ZnO薄膜中的发光和复合中心研究第82-94页
   ·引言第82页
   ·Si基ZnO薄膜的结构表征第82-83页
   ·ZnO/p-Si异质结构的I-V特性分析第83-84页
   ·ZnO/p-Si异质结构的DLTS特性分析第84-87页
   ·ZnO/p-Si异质结构的TSC特性分析第87-88页
   ·ZnO/p-Si异质结构的PL谱特性分析第88-90页
   ·本章结论第90-91页
 参考文献第91-94页
第5章 ZnO/p-Si中晶界行为及其载流子输运机制研究第94-108页
   ·引言第94页
   ·ZnO/p-Si异质结构的形貌和电学特性第94-102页
   ·ZnO/p-Si异质结构中晶界行为对载流子输运的影响第102-103页
   ·ZnO/p-Si异质结构中微结构变化对晶界行为的影响第103-105页
   ·本章结论第105-106页
 参考文献第106-108页
第6章 Si基ZnO薄膜中的晶界电阻温度系数特性研究第108-120页
   ·引言第108页
   ·RF sputtering试样的Ⅰ-Ⅴ和DLTS特性测量第108-111页
   ·ZnO/p-Si异质结构电学和深能级中心特性测量第111-114页
   ·ZnO/p-Si异质结构晶界电阻温度特性研究第114-117页
     ·未退火试样晶界电阻温度系数变化分析第114-115页
     ·N_2-800℃试样晶界电阻温度系数变化分析第115-116页
     ·O_2-800℃试样晶界电阻温度系数变化分析第116-117页
   ·本章结论第117页
 参考文献第117-120页
第7章 ZnO/n-Si异质结构的光电特性研究第120-128页
   ·引言第120页
   ·ZnO/n-Si异质结构的形貌表征及分析第120-123页
   ·ZnO/n-Si异质结构的电学特性表征及分析第123-126页
   ·本章结论第126页
 参考文献第126-128页
第8章 结论第128-131页
附录第131-132页
 攻读博士期间论文目录第131页
 已发表论文第131页
 会议报告第131-132页
致谢第132页

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