Ti掺杂WO3薄膜的制备及气敏性能研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-20页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·W0_3薄膜的结构 | 第10-11页 |
| ·纳米W0_3薄膜的性能及应用 | 第11-14页 |
| ·电致变色 | 第11-13页 |
| ·气致变色 | 第13-14页 |
| ·气敏性质 | 第14页 |
| ·纳米W0_3薄膜气敏性能研究进展 | 第14-18页 |
| ·W0_3 纳米薄膜气敏性能的研究现状 | 第14-15页 |
| ·改善纳米W0_3 薄膜气敏性能的研究 | 第15-18页 |
| ·本文的立题依据、研究内容及目的 | 第18-20页 |
| ·立题依据 | 第18-19页 |
| ·研究内容及目的 | 第19-20页 |
| 2 三氧化钨薄膜的制备 | 第20-29页 |
| ·制备W0_3薄膜的一般方法 | 第20-24页 |
| ·真空蒸发法 | 第20页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第20-21页 |
| ·化学气相沉积法(CVD) | 第21页 |
| ·电沉积法 | 第21-22页 |
| ·溅射法 | 第22-24页 |
| ·Ti 掺杂W0_3薄膜的制备 | 第24-27页 |
| ·基片处理 | 第24-25页 |
| ·磁控溅射法制备W0_3 薄膜 | 第25-27页 |
| ·W0_3 薄膜的热处理 | 第27页 |
| ·小结 | 第27-29页 |
| 3 Ti 掺杂 W0_3薄膜的表征 | 第29-36页 |
| ·薄膜厚度的测定 | 第29页 |
| ·透射率的测定 | 第29-30页 |
| ·XRD 的测定 | 第30-33页 |
| ·霍尔测试 | 第33-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 4 Ti 掺杂 W0_3薄膜的气敏性能测试 | 第36-45页 |
| ·气敏元件的参数 | 第36-37页 |
| ·W0_3薄膜测试系统的建立 | 第37-38页 |
| ·测试系统的要求 | 第37页 |
| ·测试系统的气路设计 | 第37-38页 |
| ·测试系统的整体结构 | 第38页 |
| ·Ti 掺杂W0_3薄膜对N0_2的气敏特性 | 第38-44页 |
| ·样品的气敏测试流程 | 第38-39页 |
| ·氧分压对样品气敏特性的影响 | 第39-40页 |
| ·退火温度对样品气敏特性的影响 | 第40-42页 |
| ·Ti 掺杂量与工作温度对样品气敏特性的影响 | 第42-43页 |
| ·Ti 掺杂W0_3 薄膜对不同气体的选择性 | 第43-44页 |
| ·小结 | 第44-45页 |
| 5 W0_3薄膜气敏机理分析 | 第45-51页 |
| ·前言 | 第45页 |
| ·金属氧化物薄膜气敏机理模型 | 第45-49页 |
| ·表面电荷层模型 | 第46-47页 |
| ·晶粒间界势垒模型 | 第47-48页 |
| ·颈部沟道模型 | 第48-49页 |
| ·Ti 掺杂W0_3薄膜气敏机理 | 第49-50页 |
| ·小结 | 第50-51页 |
| 6 结论与展望 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-58页 |
| 附录 A:作者攻读硕士学位期间发表的论文情况 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
