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SiC多型体的第一性原理计算研究

摘要第1-4页
Abstract第4-8页
第1章 绪论第8-26页
   ·选题意义第8页
   ·SiC 的研究背景第8-11页
     ·SiC 研究历史简介第8-10页
     ·SiC 研究现状第10-11页
   ·第一性原理计算的基本理论第11-25页
     ·Hohenberg-Kohn 定理第12-13页
     ·Kohn-Sham 定理第13-15页
     ·交换-关联能第15-17页
     ·Born-Oppenheimer 近似和Hartree-Fock 近似第17-20页
     ·赝势平面波理论第20-22页
     ·模守恒赝势第22页
     ·超软赝势第22-25页
   ·本文的主要研究内容第25-26页
第2章 理论计算方法第26-39页
   ·CASTEP 软件的计算方法第26-30页
     ·自洽电子驰豫方法第26-27页
     ·平面波基第27-28页
     ·快速傅里叶变换第28页
     ·倒空间第28-29页
     ·k 点取样第29-30页
   ·CASTEP 软件包的使用第30-38页
     ·计算任务的设置第30-33页
     ·结构优化任务的设置第33-35页
     ·计算体系性质的设置第35-37页
     ·计算结果分析第37-38页
   ·本章小结第38-39页
第3章 计算结果与分析第39-58页
   ·碳化硅多型体结构分析第39-48页
     ·碳化硅多型体的原子结构第39-43页
     ·碳化硅多型体的能带结构第43-46页
     ·碳化硅多型体的电子结构第46-48页
   ·碳化硅多型体的硬度理论计算第48-50页
   ·碳化硅多型体的晶格振动研究第50-57页
     ·碳化硅多型体的声子谱线第50-52页
     ·碳化硅的热力学性质第52-54页
     ·德拜温度和热容第54-57页
   ·本章小结第57-58页
结论第58-59页
参考文献第59-64页
攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要成果第64-65页
致谢第65-66页
作者简介第66页

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