当前位置:
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
半导体三极管(晶体管)
--
晶体管:按作用分
SiC RSD器件的欧姆接触及斜角终端研究
射频LDMOS功率晶体管的特性研究
氮化镓功率晶体管应用技术研究
射频/微波功率晶体管非线性参数化表征与建模
双向预充控制RSD低能耗触发电路研究
高频大功率晶体管的设计与实现
RSD关断特性及评价方法研究
RSD开通特性的改进研究
RSD预充对开通电压峰值的影响研究
基于单电子晶体管结构电路设计和三值电路设计
反向开关晶体管特性仿真及结构优化设计
大功率开关晶体管的设计与制造
3.1~3.4GHz-45W硅微波脉冲功率晶体管的研制
机电单电子晶体管半经典模型的改进和输运特性的研究
射频功率晶体管研究
基于TANNER和SIPOS钝化的功率管终端CAD研究与应用
基于FLOTHERM软件的双极功率晶体管热分布研究
基于电学参数的数据统计分析双极器件的安全工作区
塑封功率晶体管早期失效数据分析与对策
600V/10A变压大电流VDMOS功率晶体管的仿真分析与研制
粘接空洞对双极型功率晶体管影响的分析及模拟
大功率晶体管背面金属化的研究与优化设计
功率晶体管封装中铜丝键合工艺的可靠性研究
基于单电子晶体管的逻辑电路设计
RSD预充与开通过程数值分析与电压测量
[1]