功率晶体管封装中铜丝键合工艺的可靠性研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-12页 |
| ·课题背景 | 第9-10页 |
| ·课题研究的目的及意义 | 第10页 |
| ·课题研究的主要内容 | 第10-12页 |
| 第二章 铜丝工艺的特点及参数优化 | 第12-26页 |
| ·铜丝键合的发展 | 第12-13页 |
| ·铜丝材料的特点 | 第13-16页 |
| ·铜丝球焊工艺及机理 | 第16-19页 |
| ·铜丝球焊设备的组成 | 第16页 |
| ·球焊工艺的构成 | 第16-17页 |
| ·超声焊接的机理 | 第17-19页 |
| ·铜丝键合工艺的步骤 | 第19页 |
| ·铜丝工艺的烧球 | 第19-22页 |
| ·铜丝的FAB | 第20-21页 |
| ·电流对铜丝FAB 的影响 | 第21-22页 |
| ·保护气体流量的关系 | 第22页 |
| ·铜丝工艺的温度 | 第22-24页 |
| ·球焊键合过程的机理分析 | 第24-26页 |
| 第三章 铜丝工艺的失效模式和失效机理 | 第26-43页 |
| ·键合点检验方法 | 第26-28页 |
| ·外观检验 | 第26页 |
| ·键合拉力检验 | 第26-27页 |
| ·键合剪切力检验 | 第27-28页 |
| ·失效模式分析 | 第28-37页 |
| ·虚焊失效模式 | 第29-31页 |
| ·弹坑失效模式 | 第31-35页 |
| ·铜丝断裂失效模式 | 第35-36页 |
| ·打火失球分析 | 第36-37页 |
| ·熔断电流分析 | 第37-43页 |
| ·熔断电流的计算 | 第38-39页 |
| ·熔断电流的软件仿真 | 第39-43页 |
| 第四章 芯片设计和制造工艺与铜丝可靠性的关系 | 第43-56页 |
| ·芯片的结构和制造 | 第43-45页 |
| ·键合区铝层的分析 | 第45-47页 |
| ·键合铝层表面状态的分析 | 第47-49页 |
| ·铝层下介质材料的分析 | 第49-51页 |
| ·SIPOS 工艺和SiOxNy 工艺分析 | 第51-52页 |
| ·发射极二极管的版图分析 | 第52-56页 |
| ·二极管的作用介绍 | 第52-53页 |
| ·版图改善分析 | 第53-56页 |
| 第五章 铜丝与铝层界面可靠性分析 | 第56-60页 |
| ·键合点的可靠性问题 | 第56页 |
| ·金-铝和铜-铝的金属化合物比较 | 第56-57页 |
| ·金属间化合物生长速度分析 | 第57-58页 |
| ·老化过程可靠性的对比 | 第58-60页 |
| 第六章 结论 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
