| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-10页 |
| 第二章 器件二次击穿机理与本文实验方向 | 第10-13页 |
| ·二次击穿问题的研究意义 | 第10页 |
| ·对比生产实际主要研究内容 | 第10-11页 |
| ·已有对二次击穿机理的理论研究 | 第11-12页 |
| ·本文对SOA 特性的评价方式及相应二次击穿耐量的测试原理 | 第12页 |
| ·小结 | 第12-13页 |
| 第三章 单晶材料电阻率对二次击穿特性的影响 | 第13-25页 |
| ·材料电阻率对二次击穿影响的机理 | 第13-14页 |
| ·材料电阻率对二次击穿影响的实验方案与数据统计、分析 | 第14-24页 |
| ·小结 | 第24-25页 |
| 第四章 材料缺陷对器件二次击穿特性的影响 | 第25-30页 |
| ·材料缺陷对器件二次击穿特性影响的的机理 | 第25页 |
| ·实验对比及数据统计分析 | 第25-29页 |
| ·小结 | 第29-30页 |
| 第五章 掺杂浓度对器件二次击穿特性的影响 | 第30-44页 |
| ·基区掺杂浓度对器件二次击穿影响的实验对比与结果分析 | 第30-32页 |
| ·实验结果的理论分析和论证 | 第32-38页 |
| ·提高基区掺杂浓度对其它参数的影响 | 第38-41页 |
| ·不同基区掺杂浓度器件与其它公司的比较 | 第41-43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| 第六章 版图设计对器件二次击穿特性的影响 | 第44-70页 |
| ·版图设计对器件二次击穿影响的机理 | 第44-50页 |
| ·版图对比实验的方案安排 | 第50-69页 |
| ·基区与发射区边缘间最小距离对二次击穿特性的影响 | 第51-54页 |
| ·场限环间距对二次击穿特性的影响 | 第54-58页 |
| ·基区转弯曲率对器件二次击穿的影响 | 第58-61页 |
| ·器件有源区结构对对器件二次击穿特性的影响 | 第61-69页 |
| ·小结 | 第69-70页 |
| 第七章 结论 | 第70-73页 |
| ·器件N-区的掺杂浓度（即提高单晶材料电阻率）对器件的影响 | 第70页 |
| ·缺陷材料对器件的二次击穿特性的影响 | 第70-71页 |
| ·器件基区掺杂浓度对器件的二次击穿特性的影响 | 第71页 |
| ·器件版图设计因素对器件的二次击穿特性的影响 | 第71-73页 |
| ·基区与发射区边缘间的最小距离对器件的二次击穿特性有显著影响 | 第71-72页 |
| ·改变场限环宽度对器件的二次击穿特性形成影响 | 第72页 |
| ·提高基区曲率半径可以明显提高器件的二次击穿特性 | 第72页 |
| ·器件有源区内的设计对器件的二次击穿耐量特性有明显的影响 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-76页 |
