射频LDMOS功率晶体管的特性研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 射频LDMOS的发展历程与应用 | 第9-10页 |
| 1.2 射频LDMOS器件的研究意义 | 第10-12页 |
| 1.3 本论文主要工作 | 第12-14页 |
| 第二章 射频LDMOS晶体管特性与结构设计 | 第14-34页 |
| 2.1 射频LDMOS晶体管基础 | 第14-16页 |
| 2.2 射频LDMOS基本特性 | 第16-20页 |
| 2.2.1 开态特性 | 第16-18页 |
| 2.2.2 击穿特性 | 第18-20页 |
| 2.2.3 频率特性 | 第20页 |
| 2.3 工艺制备流程 | 第20-21页 |
| 2.4 器件结构仿真设计 | 第21-30页 |
| 2.4.1 阈值电压优化 | 第22-24页 |
| 2.4.2 LDD区优化 | 第24-27页 |
| 2.4.3 法拉第罩优化 | 第27-30页 |
| 2.5 改进的RF LDMOS结构 | 第30-33页 |
| 2.6 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 射频LDMOS晶体管特性测试 | 第34-45页 |
| 3.1 元胞基本特性测试 | 第34-39页 |
| 3.2 Loadpull测试 | 第39-42页 |
| 3.3 TLP测试 | 第42-43页 |
| 3.4 封装测试 | 第43-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 射频LDMOS晶体管建模 | 第45-62页 |
| 4.1 场效应晶体管模型及其应用 | 第45-46页 |
| 4.2 小信号模型 | 第46-55页 |
| 4.2.1 小信号等效电路模型 | 第46-48页 |
| 4.2.2 模型参数提取 | 第48-54页 |
| 4.2.3 模型参数优化 | 第54-55页 |
| 4.3 大信号模型探讨 | 第55-61页 |
| 4.3.1 非线性电流模型 | 第56-59页 |
| 4.3.2 非线性电容模型 | 第59-60页 |
| 4.3.3 LDMOS大信号模型在ADS中实现 | 第60-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 结论 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第68-69页 |
