| 致谢 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目次 | 第8-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| ·CMOS器件尺寸的极限和新型纳米器件研究的进展 | 第9-11页 |
| ·单电子晶体管的发展现状 | 第11-13页 |
| ·论文主要工作及论文结构安排 | 第13-15页 |
| 第2章 单电子晶体管原理分析 | 第15-24页 |
| ·隧穿效应与库仑阻塞效应 | 第15-16页 |
| ·SET的结构、原理 | 第16-18页 |
| ·SET仿真模型介绍 | 第18-22页 |
| ·本章小结 | 第22-24页 |
| 第3章 采用单栅极SET的开关级电路设计 | 第24-38页 |
| ·PSET与NSET | 第24-25页 |
| ·适用于SET的传输电压开关理论 | 第25-29页 |
| ·基于传输电压开关理论的电路设计 | 第29-33页 |
| ·电路仿真及分析 | 第33-36页 |
| ·本章小结 | 第36-38页 |
| 第4章 采用双栅极SET和Reed-Muller代数系统的电路设计 | 第38-50页 |
| ·双栅极SET异或电路 | 第38-41页 |
| ·Reed-Muller代数系统简介 | 第41-45页 |
| ·基于Reed-Muller代数系统的电路设计 | 第45-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第5章 基于SET的时序电路设计 | 第50-64页 |
| ·基本RS触发器设计 | 第50-53页 |
| ·主从型触发器设计 | 第53-56页 |
| ·维持阻塞型D触发器设计 | 第56-58页 |
| ·维持阻塞型D触发器的应用 | 第58-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第6章 结论 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 作者简介 | 第71页 |