粘接空洞对双极型功率晶体管影响的分析及模拟
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| ·课题背景 | 第9-10页 |
| ·粘接方法 | 第10-12页 |
| ·相关研究 | 第12-13页 |
| ·本论文研究内容、目的和意义 | 第13-14页 |
| ·本论文的研究内容及结构 | 第13页 |
| ·本论文的理论意义 | 第13页 |
| ·本课题的实际应用价值 | 第13页 |
| ·本论文要实现的目标 | 第13-14页 |
| 第二章 空洞对功率晶体管的影响 | 第14-44页 |
| ·空洞对热阻的影响 | 第14-30页 |
| ·晶体管的传热结构 | 第14-16页 |
| ·热阻的测量和计算 | 第16-21页 |
| ·空洞大小与热阻的对应关系 | 第21-24页 |
| ·空洞的分散度与热阻的对应关系 | 第24-25页 |
| ·空洞位置与热阻的对应关系 | 第25-28页 |
| ·FLOTHERM 热分析软件模拟验证 | 第28-30页 |
| ·空洞对SOA 的影响 | 第30-34页 |
| ·空洞对SOA 的影响 | 第31-34页 |
| ·空洞导致的晶体管EOS 失效 | 第34页 |
| ·空洞对热应力的影响 | 第34-37页 |
| ·空洞对抗机械强度的影响 | 第37-44页 |
| ·剪切力 | 第37-39页 |
| ·剪切力试验 | 第39-41页 |
| ·跌落试验法 | 第41-43页 |
| ·喷砂检验 | 第43-44页 |
| 第三章 空洞形成原因 | 第44-59页 |
| ·空洞形成机理 | 第44页 |
| ·空洞形成原因之一---芯片背面金属层 | 第44-46页 |
| ·空洞形成原因之二---框架状态 | 第46-48页 |
| ·空洞形成原因之三---焊料 | 第48-51页 |
| ·焊料的浸润性 | 第49-50页 |
| ·焊料成分和含量 | 第50页 |
| ·焊料颗粒的氧化程度及表面氧化情况 | 第50-51页 |
| ·焊料的厚度 | 第51页 |
| ·空洞形成原因之四---工艺环境 | 第51-53页 |
| ·焊接温度曲线和距离的影响 | 第51-52页 |
| ·气体保护氛围的程度 | 第52页 |
| ·界面的粘污和氧化 | 第52-53页 |
| ·粘接压力和高度 | 第53页 |
| ·粘接延迟和粘接摩擦 | 第53页 |
| ·空洞形成之控制实验 | 第53-59页 |
| 第四章 空洞对功率晶体管可靠性的影响 | 第59-62页 |
| ·高低温循环 | 第59-60页 |
| ·空洞的变化 | 第60-61页 |
| ·空洞失效曲线 | 第61-62页 |
| 第五章 论文结论 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
