| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 脉冲功率技术 | 第9-10页 |
| 1.2 半导体功率开关器件 | 第10-12页 |
| 1.3 SiC材料特性 | 第12-13页 |
| 1.4 SiCRSD器件 | 第13页 |
| 1.5 SiC材料欧姆接触现状及SiCRSD欧姆接触难点 | 第13-15页 |
| 1.6 SiC器件终端技术背景 | 第15-16页 |
| 1.7 论文主要内容 | 第16-17页 |
| 2 4H-SiCRSD原理及关键工艺 | 第17-26页 |
| 2.1 SiCRSD结构及原理 | 第17-19页 |
| 2.2 SiCRSD器件工艺概述 | 第19-22页 |
| 2.3 欧姆接触的制备 | 第22-24页 |
| 2.4 台面终端结构的制备 | 第24-25页 |
| 2.5 本章小结 | 第25-26页 |
| 3 4H-SiCRSD欧姆接触研究 | 第26-37页 |
| 3.1 欧姆接触原理 | 第26-27页 |
| 3.2 欧姆接触测试 | 第27-28页 |
| 3.3 表面形态 | 第28-30页 |
| 3.4 欧姆接触实验结果及分析 | 第30-36页 |
| 3.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 4 4H-SiCRSD终端结构研究 | 第37-51页 |
| 4.1 雪崩击穿机理 | 第37-38页 |
| 4.2 常用边缘终端 | 第38-41页 |
| 4.3 4H-SiCRSD正斜角结构仿真及工艺实现 | 第41-44页 |
| 4.4 4H-SiCRSD阻断特性影响因素探究 | 第44-50页 |
| 4.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 5 研究总结 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-59页 |
| 附录 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第59页 |