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机电单电子晶体管半经典模型的改进和输运特性的研究

摘要第1-7页
ABSTRACT第7-12页
第一章 绪论第12-34页
   ·EMSET 的理论背景第13-28页
     ·粒子的经典穿梭模型第14-24页
       ·已有的EMSET 半经典模型第14-17页
       ·栅电极的作用第17-19页
       ·隧穿区和穿梭区第19-21页
       ·已有的半经典模型的局限性第21-23页
       ·范得瓦尔斯力的作用第23-24页
     ·德布罗意波的经典穿梭模型第24-26页
     ·量子穿梭模型第26-28页
   ·EMSET 的实验描述第28-33页
     ·“宏观”电荷穿梭第28-30页
     ·单C_(60)分子晶体管第30-33页
   ·本章小结和论文结构第33-34页
第二章 EMSET 半经典模型的改进和特性的模拟第34-50页
   ·EMSET 半经典模型的改进第34-41页
     ·EMSET 牛顿方程第34-36页
     ·EMSET 的隧穿率第36-40页
     ·EMSET 岛区的振幅第40-41页
   ·EMSET 特性的模拟方法第41-48页
     ·牛顿方程的数值解第41-42页
     ·EMSET 特性的主方程法模拟第42-44页
     ·EMSET 特性的蒙特卡罗法模拟第44-46页
     ·模拟结果的比较第46-48页
   ·本章小结第48-50页
第三章 EMSET 负阻现象的研究第50-85页
   ·EMSET 负阻现象的产生机制和分析方法第50-53页
     ·产生机制第50-51页
     ·分析方法第51-53页
   ·单岛EMSET 负阻现象的研究第53-73页
     ·单岛EMSET 半经典模型第53-56页
     ·两端单岛EMSET第56-62页
     ·四端单岛EMSET第62-71页
       ·结电压对称和栅电容相等情况第63-65页
       ·结电压对称和栅电容不相等情况第65-70页
       ·结电压不对称情况第70-71页
     ·温度的影响第71-73页
   ·双岛EMSET 负阻现象的研究第73-81页
     ·双岛EMSET 半经典模型第74-76页
     ·两端双岛EMSET第76-79页
     ·四端双岛EMSET第79-80页
     ·两岛之间的振动耦合机制第80-81页
   ·机电量子点器件负阻现象的研究第81-83页
   ·本章小结第83-85页
第四章 EMSET 阈值电压漂移的研究第85-93页
   ·阈值电压漂移的产生机制第85-86页
   ·两端EMSET 的阈值电压减小第86-88页
   ·四端EMSET 的阈值电压漂移第88-91页
   ·本章小结第91-93页
第五章 两维振动EMSET 的研究第93-105页
   ·漏源间振动EMSET 的主要特点第93-94页
   ·双栅间振动EMSET 半经典模型第94-100页
   ·两维振动EMSET 半经典模型第100-101页
   ·两维振动对负阻现象的影响第101-103页
   ·两维振动对阈值电压漂移的影响第103-104页
   ·本章小结第104-105页
第六章 机电单电子电路的设计第105-114页
   ·机电单电子反相器第105-111页
     ·n-EMSET 开关第106-107页
     ·p-EMSET 开关第107-108页
     ·机电单电子反相器的模型第108页
     ·输入-输出特性第108-111页
   ·机电单电子共振隧穿电路第111-113页
   ·本章小结第113-114页
第七章 EMSET 的模拟程序第114-128页
   ·EMSET 模拟程序的验证第114-122页
     ·与理论模型的比较第114-120页
     ·与著名实验的比较第120-122页
   ·EMSET 模拟程序的主函数第122-127页
     ·蒙特卡罗法模拟程序的主函数第122-125页
     ·主方程法模拟程序的主函数第125-127页
   ·本章小结第127-128页
第八章 结论和展望第128-132页
   ·结论第128-130页
   ·创新点第130页
   ·展望第130-132页
参考文献第132-138页
致谢第138-139页
攻读博士学位期间发表的学术论文第139页

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