机电单电子晶体管半经典模型的改进和输运特性的研究
摘要 | 第1-7页 |
ABSTRACT | 第7-12页 |
第一章 绪论 | 第12-34页 |
·EMSET 的理论背景 | 第13-28页 |
·粒子的经典穿梭模型 | 第14-24页 |
·已有的EMSET 半经典模型 | 第14-17页 |
·栅电极的作用 | 第17-19页 |
·隧穿区和穿梭区 | 第19-21页 |
·已有的半经典模型的局限性 | 第21-23页 |
·范得瓦尔斯力的作用 | 第23-24页 |
·德布罗意波的经典穿梭模型 | 第24-26页 |
·量子穿梭模型 | 第26-28页 |
·EMSET 的实验描述 | 第28-33页 |
·“宏观”电荷穿梭 | 第28-30页 |
·单C_(60)分子晶体管 | 第30-33页 |
·本章小结和论文结构 | 第33-34页 |
第二章 EMSET 半经典模型的改进和特性的模拟 | 第34-50页 |
·EMSET 半经典模型的改进 | 第34-41页 |
·EMSET 牛顿方程 | 第34-36页 |
·EMSET 的隧穿率 | 第36-40页 |
·EMSET 岛区的振幅 | 第40-41页 |
·EMSET 特性的模拟方法 | 第41-48页 |
·牛顿方程的数值解 | 第41-42页 |
·EMSET 特性的主方程法模拟 | 第42-44页 |
·EMSET 特性的蒙特卡罗法模拟 | 第44-46页 |
·模拟结果的比较 | 第46-48页 |
·本章小结 | 第48-50页 |
第三章 EMSET 负阻现象的研究 | 第50-85页 |
·EMSET 负阻现象的产生机制和分析方法 | 第50-53页 |
·产生机制 | 第50-51页 |
·分析方法 | 第51-53页 |
·单岛EMSET 负阻现象的研究 | 第53-73页 |
·单岛EMSET 半经典模型 | 第53-56页 |
·两端单岛EMSET | 第56-62页 |
·四端单岛EMSET | 第62-71页 |
·结电压对称和栅电容相等情况 | 第63-65页 |
·结电压对称和栅电容不相等情况 | 第65-70页 |
·结电压不对称情况 | 第70-71页 |
·温度的影响 | 第71-73页 |
·双岛EMSET 负阻现象的研究 | 第73-81页 |
·双岛EMSET 半经典模型 | 第74-76页 |
·两端双岛EMSET | 第76-79页 |
·四端双岛EMSET | 第79-80页 |
·两岛之间的振动耦合机制 | 第80-81页 |
·机电量子点器件负阻现象的研究 | 第81-83页 |
·本章小结 | 第83-85页 |
第四章 EMSET 阈值电压漂移的研究 | 第85-93页 |
·阈值电压漂移的产生机制 | 第85-86页 |
·两端EMSET 的阈值电压减小 | 第86-88页 |
·四端EMSET 的阈值电压漂移 | 第88-91页 |
·本章小结 | 第91-93页 |
第五章 两维振动EMSET 的研究 | 第93-105页 |
·漏源间振动EMSET 的主要特点 | 第93-94页 |
·双栅间振动EMSET 半经典模型 | 第94-100页 |
·两维振动EMSET 半经典模型 | 第100-101页 |
·两维振动对负阻现象的影响 | 第101-103页 |
·两维振动对阈值电压漂移的影响 | 第103-104页 |
·本章小结 | 第104-105页 |
第六章 机电单电子电路的设计 | 第105-114页 |
·机电单电子反相器 | 第105-111页 |
·n-EMSET 开关 | 第106-107页 |
·p-EMSET 开关 | 第107-108页 |
·机电单电子反相器的模型 | 第108页 |
·输入-输出特性 | 第108-111页 |
·机电单电子共振隧穿电路 | 第111-113页 |
·本章小结 | 第113-114页 |
第七章 EMSET 的模拟程序 | 第114-128页 |
·EMSET 模拟程序的验证 | 第114-122页 |
·与理论模型的比较 | 第114-120页 |
·与著名实验的比较 | 第120-122页 |
·EMSET 模拟程序的主函数 | 第122-127页 |
·蒙特卡罗法模拟程序的主函数 | 第122-125页 |
·主方程法模拟程序的主函数 | 第125-127页 |
·本章小结 | 第127-128页 |
第八章 结论和展望 | 第128-132页 |
·结论 | 第128-130页 |
·创新点 | 第130页 |
·展望 | 第130-132页 |
参考文献 | 第132-138页 |
致谢 | 第138-139页 |
攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第139页 |