| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-20页 |
| ·功率MOS 器件的发展概况及现状 | 第7-12页 |
| ·功率MOS 器件发展概述 | 第7-9页 |
| ·功率MOS 器件发展趋势和国内外研究动态 | 第9-12页 |
| ·VDMOS 器件的结构及工作原理 | 第12-16页 |
| ·本论文的选题及研究内容 | 第16-20页 |
| 第二章 600V/10A VDMOS 产品的结构和参数特性 | 第20-57页 |
| ·版图设计及I-V 特性 | 第20-40页 |
| ·版图设计结构 | 第20-33页 |
| ·600V/10A VDMOS 产品I-V 特性 | 第33-40页 |
| ·VDMOS 产品的重要参数 | 第40-54页 |
| ·阀值电压 | 第40-42页 |
| ·导通电阻 | 第42-49页 |
| ·BVDSS 及BVDSS 与导通电阻的关系 | 第49-51页 |
| ·开关时间 | 第51-54页 |
| ·器件的温度特性 | 第54-56页 |
| ·本章总结 | 第56-57页 |
| 第三章 600V/10A VDMOS 产品电容特性优化仿真 | 第57-68页 |
| ·600V/10A VDMOS 产品的电容特性 | 第57-60页 |
| ·600V/10A VDMOS 产品的电容特性仿真 | 第60-66页 |
| ·本章总结 | 第66-68页 |
| 第四章 结论和展望 | 第68-71页 |
| ·本论文研究总结 | 第68页 |
| ·前景展望 | 第68-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-74页 |
