| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 注释表 | 第11-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-20页 |
| 1.1 硅功率器件面临的困境 | 第13-14页 |
| 1.2 宽禁带半导体功率器件 | 第14-15页 |
| 1.3 GaN功率晶体管的研究现状 | 第15-18页 |
| 1.4 本文研究内容及意义 | 第18-20页 |
| 1.4.1 研究内容 | 第18-19页 |
| 1.4.2 研究意义 | 第19-20页 |
| 第二章 GaN功率晶体管特性分析 | 第20-30页 |
| 2.1 低压氮化镓功率晶体管 | 第20-24页 |
| 2.1.1 电气参数 | 第20-21页 |
| 2.1.2 反向导通特性 | 第21-22页 |
| 2.1.3 驱动技术 | 第22-24页 |
| 2.2 高压氮化镓晶体管 | 第24-29页 |
| 2.2.1 电气参数 | 第24-26页 |
| 2.2.2 反向导通与反向恢复 | 第26-28页 |
| 2.2.3 驱动技术 | 第28页 |
| 2.2.4 ZVS软开关问题 | 第28-29页 |
| 2.3 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 低压氮化镓晶体管的改进型三电平驱动 | 第30-42页 |
| 3.1 三电平驱动方式 | 第30-31页 |
| 3.2 改进型三电平驱动方式 | 第31-36页 |
| 3.2.1 问题分析 | 第31-34页 |
| 3.2.2 改进型三电平驱动的提出 | 第34-35页 |
| 3.2.3 改进型三电平驱动的实现 | 第35-36页 |
| 3.3 仿真及实验验证 | 第36-41页 |
| 3.3.1 仿真验证 | 第36-37页 |
| 3.3.2 主要寄生参数分析 | 第37-38页 |
| 3.3.3 实验验证 | 第38-39页 |
| 3.3.4 效率曲线与损耗分析 | 第39-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 高压GaN晶体管在LLC谐振变换器中的应用研究 | 第42-58页 |
| 4.1 高压GaN晶体管封装寄生参数的影响 | 第42-43页 |
| 4.2 LLC谐振变换器 | 第43-45页 |
| 4.2.1 主电路结构 | 第43-44页 |
| 4.2.2 开关管输出电容对LLC谐振变换器的影响 | 第44-45页 |
| 4.3 变换器参数设计 | 第45-50页 |
| 4.3.1 主要参数指标 | 第45-46页 |
| 4.3.2 器件选取 | 第46-47页 |
| 4.3.3 参数设计 | 第47-50页 |
| 4.4 实验验证 | 第50-56页 |
| 4.4.1 实验样机 | 第50-51页 |
| 4.4.2 实验波形 | 第51-55页 |
| 4.4.3 效率曲线 | 第55页 |
| 4.4.4 损耗分析 | 第55-56页 |
| 4.5 本章小结 | 第56-58页 |
| 第五章 结束语 | 第58-59页 |
| 5.1 本文的主要工作 | 第58页 |
| 5.2 工作展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的论文及参与完成的科研项目 | 第64页 |