塑封功率晶体管早期失效数据分析与对策
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| ·塑封功率晶体管的发展 | 第12-13页 |
| ·功率晶体管的结构和制造过程 | 第13-16页 |
| ·功率晶体管的结构 | 第13页 |
| ·重掺扩散过程 | 第13-14页 |
| ·芯片制造过程 | 第14-15页 |
| ·封装过程 | 第15-16页 |
| ·本文的选题和研究内容 | 第16-19页 |
| 第二章 数据处理方法及软件应用 | 第19-31页 |
| ·MINITAB特点 | 第19页 |
| ·MINITAB统计及分析软件的功能介绍 | 第19-23页 |
| ·MINITAB操作简介 | 第23-28页 |
| ·MINITAB画面构成 | 第23-24页 |
| ·MINITAB菜单构成 | 第24页 |
| ·图表生成 | 第24-28页 |
| ·论文中应用到的MINITAB图表简介 | 第28-31页 |
| ·直方图 | 第28-29页 |
| ·箱线图 | 第29页 |
| ·主效应图 | 第29-30页 |
| ·散点图 | 第30-31页 |
| 第三章 功率晶体管的质量现状分析 | 第31-58页 |
| ·功率晶体管失效分析的发展 | 第31-36页 |
| ·库存功率晶体管的现状分析 | 第36-46页 |
| ·选取样品 | 第36-37页 |
| ·样品测试 | 第37-38页 |
| ·样品数据分析 | 第38-46页 |
| ·功率晶体管的对比实验 | 第46-58页 |
| ·样品原始反压曲线测试 | 第46-49页 |
| ·样品C-SAM扫描图和X-RAY扫描图 | 第49页 |
| ·对样品进一步损伤性实验 | 第49-58页 |
| 第四章 功率晶体管封装级失效分析 | 第58-75页 |
| ·框架镀层类型对产品的影响 | 第58-62页 |
| ·框架结构对产品的影响 | 第62页 |
| ·塑封料对产品的影响 | 第62-63页 |
| ·塑封前滞留时间对漏电的影响 | 第63-65页 |
| ·塑封后去除塑封溢料工艺对漏电流的影响 | 第65-67页 |
| ·粘片顶针对漏电流的影响 | 第67-68页 |
| ·粘片对漏电流的影响 | 第68-69页 |
| ·压焊对漏电流的影响 | 第69-71页 |
| ·压焊丝塌陷造成的早期失效 | 第71-72页 |
| ·水汽造成的早期失效 | 第72-75页 |
| 第五章 功率晶体管芯片级失效分析 | 第75-104页 |
| ·芯片针孔的影响 | 第75-76页 |
| ·铝斑的影响 | 第76-77页 |
| ·光刻腐蚀不良的影响 | 第77-78页 |
| ·划伤的影响 | 第78-79页 |
| ·芯片制造过程工艺参数的影响 | 第79-97页 |
| ·反压对功率晶体管漏电流的影响 | 第80-83页 |
| ·抛光工序对功率晶体管漏电流的影响 | 第83-86页 |
| ·芯片表面钝化对功率晶体管漏电流的影响 | 第86-92页 |
| ·边缘芯片对功率晶体管漏电流的影响 | 第92-97页 |
| ·硅单晶中旋涡缺陷的影响 | 第97-98页 |
| ·各类污染对漏电的影响 | 第98-104页 |
| 第六章 功率晶体管设计级失效分析 | 第104-111页 |
| ·设计带有内置阻尼二极管型功率晶体管原因 | 第104-106页 |
| ·内置阻尼二极管对功率晶体管漏电流的影响 | 第106-108页 |
| ·内置阻尼二极管型功率晶体管版图设计方案 | 第108-110页 |
| ·内置阻尼二极管对功率晶体管参数的影响 | 第110-111页 |
| 第七章 改善效果 | 第111-116页 |
| ·版图优化 | 第111-113页 |
| ·材料选取 | 第113页 |
| ·工艺控制 | 第113页 |
| ·数据提取 | 第113页 |
| ·实际效果比较 | 第113-115页 |
| ·小结 | 第115-116页 |
| 第八章 结论 | 第116-118页 |
| ·塑封功率晶体管早期失效原因总结 | 第116-117页 |
| ·其它 | 第117-118页 |
| 致谢 | 第118-119页 |
| 参考文献 | 第119-120页 |
