当前位置：
首页
--
数理科学和化学
--
物理学
--
半导体物理学
--
半导体理论
--
半导体能带结构
Ⅳ-Ⅵ族半导体异质结能带结构和中红外发光特性
基于高阶k·p方法的应变锗能带结构计算
Mg-F-N共掺实现具有低受主能级的稳定p型ZnO
GaN纳米管的理论研究及GaN紧束缚势模型的发展
硅基光电子材料和稀磁材料的计算设计
GW方法和半导体准粒子能带结构
β-FeSi2能带结构及光电子特性计算
AlxGa1-xN/GaN双量子阱中子带间跃迁的研究
PPP及其烷氧基衍生物的能带结构研究
几种低维半导体结构的能带及光跃迁
Si基应变材料能带结构研究
金属/SiC界面势反演和应用
稀磁半导体新材料的电子结构与自旋调控研究
BaSi2电子结构和光学性质的研究
IV-VI族半导体薄膜生长行为及金属/IV-VI族半导体界面性质研究
宽带隙半导体表面电子结构和磁性研究
极性宽禁带半导体微结构与新效应研究
Ge3N4的准粒子能带结构计算
[1]
