| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 目录 | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-30页 |
| 1.1 Ⅳ-Ⅵ半导体材料的物理性质 | 第12-15页 |
| 1.2 Ⅳ-Ⅵ族半导体的研究现状 | 第15-18页 |
| 1.3 半导体异质结界面能带结构 | 第18-21页 |
| 1.4 表面等离子体 | 第21-25页 |
| 1.5 本文的研究工作 | 第25-26页 |
| 1.6 参考文献 | 第26-30页 |
| 第二章 实验介绍 | 第30-39页 |
| 2.1 半导体薄膜制备 | 第30-34页 |
| 2.2 光电子能谱 | 第34-36页 |
| 2.3 光致发光光谱 | 第36-37页 |
| 2.4 参考文献 | 第37-39页 |
| 第三章 PbTe/CdTe(111)异质结界面的能带结构 | 第39-47页 |
| 3.1 PbTe/CdTe异质结构制备与测试 | 第39-41页 |
| 3.2 PbTe/CdTe异质结SRPES结果与讨论 | 第41-45页 |
| 3.3 本章小结 | 第45页 |
| 3.4 参考文献 | 第45-47页 |
| 第四章 PbTe/Ge(100)异质结界面的能带结构 | 第47-56页 |
| 4.1 PbTe/Ge异质结构制备与测试 | 第48-49页 |
| 4.2 PbTe/Ge异质结SRPES结果与讨论 | 第49-53页 |
| 4.3 本章小结 | 第53-54页 |
| 4.4 参考文献 | 第54-56页 |
| 第五章 ZnO/PbSe量子点界面的能带结构 | 第56-68页 |
| 5.1 ZnO/PbSe异质结构制备与测试 | 第57-58页 |
| 5.2 ZnO/PbSe异质结构SRPES结果与讨论 | 第58-65页 |
| 5.3 本章小结 | 第65页 |
| 5.4 参考文献 | 第65-68页 |
| 第六章 CdTe/PbTe异质结的中红外发光特性 | 第68-80页 |
| 6.1 CdTe/PbTe异质结构制备与测试 | 第69页 |
| 6.2 CdTe/PbTe异质结PL结果与讨论 | 第69-77页 |
| 6.3 本章小结 | 第77页 |
| 6.4 参考文献 | 第77-80页 |
| 第七章 Ag/PbTe异质结的中红外发光特性 | 第80-96页 |
| 7.1 Ag/PbTe异质结制备与测试 | 第80-81页 |
| 7.2 Ag/PbTe异质结PL结果与讨论 | 第81-93页 |
| 7.3 本章小结 | 第93页 |
| 7.4 参考文献 | 第93-96页 |
| 第八章 总结与今后工作展望 | 第96-99页 |
| 8.1 本文工作总结 | 第96-97页 |
| 8.2 今后工作展望 | 第97-99页 |
| 个人简历 | 第99-101页 |
