| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-11页 |
| 目录 | 第11-14页 |
| 1 绪论 | 第14-26页 |
| ·引言 | 第14-15页 |
| ·Ⅳ-Ⅵ族半导体材料的基本物理性质 | 第15-19页 |
| ·Ⅳ-Ⅵ族半导体材料的晶体结构和能带结构 | 第15-18页 |
| ·Ⅳ-Ⅵ族半导体材料的其他物理性质 | 第18-19页 |
| ·Ⅳ-Ⅵ族半导体光电器件的发展历程与存在的问题 | 第19-25页 |
| ·Ⅳ-Ⅵ族半导体光电器件的发展历程 | 第19-22页 |
| ·Ⅳ-Ⅵ族半导体器件目前存在的主要问题 | 第22-25页 |
| ·本论文的研究工作 | 第25-26页 |
| 2 实验简介 | 第26-41页 |
| ·PbTe、PbSe半导体薄膜样品的制备 | 第26-27页 |
| ·表面分析方法简介 | 第27-41页 |
| ·扫描隧道显微镜(STM) | 第27-32页 |
| ·扫描隧道显微镜的基本结构 | 第28-30页 |
| ·STM的隧道电流及其图像的影响因数 | 第30-32页 |
| ·STM的扫描模式 | 第32页 |
| ·低能电子衍射(LEED) | 第32-33页 |
| ·光电子能谱(Photoemission Spectroscopy,PES) | 第33-41页 |
| ·光电子能谱基本原理 | 第34-36页 |
| ·常用光电子能谱简介 | 第36-39页 |
| ·能量分析器 | 第39-41页 |
| 3 在BaF_2(111)衬底上分子束外延生长PbSe单晶薄膜的扫描隧道显微镜研究 | 第41-52页 |
| ·引言 | 第41-43页 |
| ·实验 | 第43页 |
| ·结果与讨论 | 第43-51页 |
| ·结论 | 第51-52页 |
| 4 Ag/PbTe(111)界面行为的光电子能谱研究 | 第52-64页 |
| ·引言 | 第52-53页 |
| ·实验 | 第53页 |
| ·结果与讨论 | 第53-63页 |
| ·Ag/PbTe(111)界面的XPS结果与讨论 | 第53-60页 |
| ·Ag/PbTe(111)界面的UPS结果与讨论 | 第60-63页 |
| ·结论 | 第63-64页 |
| 5 Mn/PbTe(111)界面行为的X光电子能谱研究 | 第64-74页 |
| ·引言 | 第64-65页 |
| ·实验 | 第65-66页 |
| ·结果与讨论 | 第66-72页 |
| ·总结 | 第72-74页 |
| 6 Mn/PbTe(111)界面行为的扫描隧道显微镜研究 | 第74-83页 |
| ·引言 | 第74页 |
| ·实验 | 第74页 |
| ·结果与讨论 | 第74-81页 |
| ·总结 | 第81-83页 |
| 7 总结与今后工作展望 | 第83-86页 |
| ·本文研究工作总结 | 第83-84页 |
| ·今后工作展望 | 第84-86页 |
| 参考文献 | 第86-95页 |
| 个人简历 | 第95-96页 |
