| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-26页 |
| ·引言 | 第15-16页 |
| ·硅基发光材料的研究进展 | 第16-20页 |
| ·硅锗稀磁半导体 | 第20-21页 |
| ·本研究工作的主要任务与意义 | 第21-22页 |
| 参考文献 | 第22-26页 |
| 第二章 第一性原理的计算方法 | 第26-55页 |
| ·密度泛函理论 | 第26-37页 |
| ·绝热近似 | 第27-28页 |
| ·Hartree-Fock 近似 | 第28-29页 |
| ·Hohenberg-Kohn 定理 | 第29-30页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第30-31页 |
| ·局域密度近似理论和自旋极化局域密度近似 | 第31-33页 |
| ·广义梯度近似 | 第33-35页 |
| ·准粒子格林函数近似 | 第35-37页 |
| ·磁性离子间的相互作用 | 第37-40页 |
| ·平均场理论 | 第37-38页 |
| ·双交换作用 | 第38-39页 |
| ·Blombergen-Rowland 交换作用 | 第39页 |
| ·Ruderman-Kittel-Kasuyaa-Yoshida 交换作用 | 第39-40页 |
| ·第一性原理的赝势方法 | 第40-51页 |
| ·赝势的提出 | 第40-43页 |
| ·超软赝势的构造 | 第43-44页 |
| ·投影缀加平面波方法 | 第44-46页 |
| ·平面波基矢 | 第46-48页 |
| ·力和 Hellmann-Feynman 定理 | 第48-49页 |
| ·VASP 程序包 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 第三章 超晶格 Y/Si_m/Y/Si_m/Y 的第一性原理计算 | 第55-84页 |
| ·引言 | 第55-56页 |
| ·硅（001）的表面结构 | 第56-57页 |
| ·计算参数设置 | 第57-58页 |
| ·超晶格 VI/Si_6/VI/Si_6/VI 结构的电子性质 | 第58-63页 |
| ·超晶格 VI/Si_6/VI/Si_6/VI 的电子结构 | 第58-59页 |
| ·结果与讨论 | 第59-63页 |
| ·超晶格 Se/Si_5/VI/Si_5/Se 结构的电子性质 | 第63-67页 |
| ·超晶格 Se/Si_5/VI/Si_5/VI 的电子结构 | 第63-64页 |
| ·结果与讨论 | 第64-67页 |
| ·超晶格 V/Si_6/V/Si_6/V 结构的电子性质 | 第67-72页 |
| ·超晶格 V/Si_6/V/Si_6/V 的电子结构 | 第67-68页 |
| ·结果与讨论 | 第68-72页 |
| ·超晶格 III(V)/Si_6/III(V)/Si_6/III(V)结构的电子性质 | 第72-76页 |
| ·超晶格III(V)/Si_6/III(V)/Si_6/III(V)的电子结构 | 第72-73页 |
| ·结果与讨论 | 第73-76页 |
| ·小结 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-84页 |
| 第四章 超晶格 Si_(1-y)X_y/Si(001)的电子结构 | 第84-98页 |
| ·引言 | 第84-85页 |
| ·计算参数设置 | 第85-86页 |
| ·计算结果与讨论 | 第86-93页 |
| ·优化后的结构 | 第86-88页 |
| ·超晶格的电子性质 | 第88-93页 |
| ·小结 | 第93-94页 |
| 参考文献 | 第94-98页 |
| 第五章 硅、锗稀磁性质的第一性原理计算 | 第98-113页 |
| ·引言 | 第98-99页 |
| ·计算参数设置和原胞结构 | 第99-101页 |
| ·结果与讨论 | 第101-109页 |
| ·N224 位置上的硅、锗稀磁性质 | 第101-103页 |
| ·不同格点上的硅、锗稀磁性质 | 第103-109页 |
| ·小结 | 第109页 |
| 参考文献 | 第109-113页 |
| 第六章 总结 | 第113-115页 |
| 附录 在博士生期间发表的论文和获得的荣誉 | 第115-116页 |
| 致谢 | 第116页 |
