基于高阶k·p方法的应变锗能带结构计算
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-23页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第15-17页 |
| 1.2 应变锗研究进展 | 第17-22页 |
| 1.2.1 应变锗能带结构研究动态 | 第17-20页 |
| 1.2.2 应变锗应用的最新进展 | 第20-22页 |
| 1.3 本文工作安排 | 第22-23页 |
| 第二章 硅基半导体应变理论基础 | 第23-41页 |
| 2.1 应变与应力 | 第23-27页 |
| 2.1.1 应变 | 第23-24页 |
| 2.1.2 应力 | 第24-25页 |
| 2.1.3 应力与应变的关系 | 第25-27页 |
| 2.2 应变锗的应力与应变特性 | 第27-29页 |
| 2.2.1 单轴应力与应变 | 第27-28页 |
| 2.2.2 双轴应力与应变 | 第28-29页 |
| 2.3 锗晶格结构基本特性 | 第29-31页 |
| 2.4 应变对锗晶格结构的影响 | 第31-39页 |
| 2.4.1 系统的层次结构 | 第33-34页 |
| 2.4.2 hO对称性 | 第34-35页 |
| 2.4.3 D_(4h)对称性 | 第35-36页 |
| 2.4.4 D_(3d)对称性 | 第36-37页 |
| 2.4.5 D_(2h)对称性 | 第37-38页 |
| 2.4.6 C_(2h)对称性 | 第38-39页 |
| 2.4.7 S_2对称性 | 第39页 |
| 2.5 小结 | 第39-41页 |
| 第三章 高阶k·p微扰理论与方法 | 第41-59页 |
| 3.1 布洛赫定理 | 第41-42页 |
| 3.2 k ·p微扰理论 | 第42-44页 |
| 3.3 高阶k ·p方法 | 第44-54页 |
| 3.3.1 高阶k ·p方法的特点 | 第44-45页 |
| 3.3.2 30 k ·p方法 | 第45-54页 |
| 3.4 基于第一性原理优化的 30 k ·p方法 | 第54-58页 |
| 3.4.1 基于第一性原理的优化方法 | 第54页 |
| 3.4.2 弛豫 30 k ·p哈密顿函数 | 第54-58页 |
| 3.5 小结 | 第58-59页 |
| 第四章 应变锗能带结构计算与特性分析 | 第59-77页 |
| 4.1 应变锗 30 k ·p哈密顿函数 | 第59-62页 |
| 4.2 应变锗能带结构计算与分析 | 第62-67页 |
| 4.2.1 应力对能带结构的影响 | 第62-64页 |
| 4.2.2 应变锗能谷能级分裂和禁带宽度变化 | 第64-67页 |
| 4.3 有效质量 | 第67-68页 |
| 4.4 应变锗等能面分析 | 第68-71页 |
| 4.5 应变锗空穴有效质量 | 第71-76页 |
| 4.5.1 双轴应变下空穴有效质量的变化 | 第71-74页 |
| 4.5.2 单轴应变下空穴有效质量的变化 | 第74-76页 |
| 4.6 小结 | 第76-77页 |
| 第五章 总结 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-85页 |
| 致谢 | 第85-87页 |
| 作者简介 | 第87-88页 |
