Si基应变材料能带结构研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| ·SI基应变技术 | 第8-14页 |
| ·Si基微电子技术面临的挑战 | 第8-9页 |
| ·Si基应变技术 | 第9-10页 |
| ·Si基应变技术的研究发展状况 | 第10-14页 |
| ·SI基应变材料能带研究意义及方法 | 第14-19页 |
| ·能带结构研究意义 | 第14页 |
| ·能带结构研究方法概述 | 第14-19页 |
| ·本论文工作内容 | 第19-20页 |
| 第二章 应变实现方法 | 第20-28页 |
| ·应力引入技术概述 | 第20-24页 |
| ·机械力致应变技术 | 第20-21页 |
| ·全局应变技术 | 第21页 |
| ·源/漏(S/D)植入致应变技术 | 第21-22页 |
| ·SiN帽层应力引入技术 | 第22-23页 |
| ·应力释放引入应力技术 | 第23页 |
| ·应力记忆技术 | 第23页 |
| ·Ge预非晶化应力引入技术 | 第23-24页 |
| ·临界厚度及应力测定方法 | 第24-27页 |
| ·临界厚度 | 第24-25页 |
| ·应力测定方法 | 第25-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 SI基应变材料能带E(K)-K关系研究 | 第28-66页 |
| ·应变张量模型 | 第28-36页 |
| ·应变张量通解 | 第28-32页 |
| ·(001)、(111)、(101)应变张量 | 第32-36页 |
| ·SI基应变材料赝晶结构模型 | 第36-39页 |
| ·形变势模型 | 第39-40页 |
| ·定态微扰理论 | 第40-44页 |
| ·能级非简并情况 | 第41-43页 |
| ·能级简并情况 | 第43-44页 |
| ·SI基应变材料导带E(K)-K关系 | 第44-49页 |
| ·SI基材料价带E(K)-K关系 | 第49-65页 |
| ·弛豫Si价带E(k)-k关系 | 第49-57页 |
| ·Si基应变材料价带E(k)-k关系 | 第57-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 第四章 SI基应变材料基本物理参数模型研究 | 第66-118页 |
| ·SI基应变材料导带结构模型 | 第66-71页 |
| ·Si基应变材料导带能谷简并度 | 第66-68页 |
| ·Si基应变材料导带能谷能级 | 第68-71页 |
| ·SI基应变材料价带结构模型 | 第71-78页 |
| ·Si基应变材料价带Γ点处能级 | 第71-74页 |
| ·应变Si价带结构 | 第74-78页 |
| ·SI基应变材料空穴有效质量 | 第78-103页 |
| ·Si基应变材料空穴各向异性有效质量 | 第78-98页 |
| ·Si基应变材料空穴各向同性有效质量 | 第98-103页 |
| ·SI基应变材料态密度 | 第103-109页 |
| ·Si基应变材料导带底态密度 | 第103-106页 |
| ·Si基应变材料价带顶附近态密度 | 第106-109页 |
| ·SI基应变材料有效状态密度及本征载流子浓度 | 第109-116页 |
| ·本章小结 | 第116-118页 |
| 第五章 基于CASTEP的应变SI能带结构分析 | 第118-144页 |
| ·CASTEP软件的主要理论 | 第118-125页 |
| ·密度泛函理论(DFT) | 第119-122页 |
| ·赝势(Pseudopotential) | 第122-123页 |
| ·分子轨道的自洽求解 | 第123-124页 |
| ·CASTEP软件的几项关键技术 | 第124-125页 |
| ·基于CASTEP的应变SI能带结构分析 | 第125-134页 |
| ·能带分析选项卡的设定 | 第125-128页 |
| ·能带分析结果 | 第128-134页 |
| ·结果分析与讨论 | 第134-142页 |
| ·(001)应变Si带边分析 | 第134-137页 |
| ·(101)应变Si带边分析 | 第137-140页 |
| ·(111)应变Si带边分析 | 第140-142页 |
| ·本章小结 | 第142-144页 |
| 第六章 GE组份(X)与应力转化模型研究 | 第144-154页 |
| ·转化原理及模型研究 | 第144-149页 |
| ·(101)面双轴力与GE组分的关系 | 第149-151页 |
| ·结果分析与讨论 | 第151-153页 |
| ·本章小结 | 第153-154页 |
| 第七章 结束语 | 第154-158页 |
| 致谢 | 第158-160页 |
| 参考文献 | 第160-168页 |
| 研究成果 | 第168-169页 |
