稀磁半导体新材料的电子结构与自旋调控研究
| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-14页 |
| 第一章 绪论(稀磁半导体的研究进展) | 第14-30页 |
| ·引言 | 第14页 |
| ·稀磁半导体的研究意义 | 第14-16页 |
| ·稀磁半导体的研究现状 | 第16-26页 |
| ·稀磁半导体的理论发展 | 第18-21页 |
| ·稀磁半导体的实验进展 | 第21-26页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第26-27页 |
| 参考文献 | 第27-30页 |
| 第二章 密度泛函理论和XAFS基本理论 | 第30-48页 |
| ·密度泛函理论 | 第30-39页 |
| ·Bohn-Oppenheimer近似 | 第30-32页 |
| ·Hartree-Fock近似 | 第32-35页 |
| ·密度泛函理论基础 | 第35-37页 |
| ·交换相关能量泛函 | 第37-38页 |
| ·计算程序简介 | 第38-39页 |
| ·XAFS基本理论 | 第39-46页 |
| ·XAFS概论 | 第39页 |
| ·EXAFS基本理论 | 第39-42页 |
| ·XANES基本理论 | 第42-45页 |
| ·计算程序简介 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-48页 |
| 第三章 Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体的结构和磁性研究 | 第48-66页 |
| ·引言 | 第48-49页 |
| ·样品制备 | 第49页 |
| ·样品表征 | 第49-58页 |
| ·XRD结果 | 第50-51页 |
| ·SQUID结果 | 第51-52页 |
| ·XANES结果 | 第52-58页 |
| ·电子结构计算及分析 | 第58-61页 |
| ·计算方法与细节 | 第58页 |
| ·Zn空位效应 | 第58-60页 |
| ·N共掺杂效应 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 第四章 Ⅲ-Ⅴ族稀磁半导体的结构和磁性研究 | 第66-82页 |
| ·引言 | 第66-67页 |
| ·实验 | 第67页 |
| ·计算方法与模型 | 第67-68页 |
| ·XANES结果及分析 | 第68-71页 |
| ·第一性原理计算结果及分析 | 第71-76页 |
| ·讨论 | 第76-77页 |
| ·本章小结 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-82页 |
| 第五章 Ⅳ族稀磁半导体的结构和磁性理论研究 | 第82-96页 |
| ·引言 | 第82-83页 |
| ·计算模型和方法 | 第83-84页 |
| ·结果 | 第84-90页 |
| ·讨论 | 第90-92页 |
| ·本章小结 | 第92-93页 |
| 参考文献 | 第93-96页 |
| 第六章 氧化物稀磁半导体的电荷补偿共掺杂效应 | 第96-110页 |
| ·引言 | 第96-99页 |
| ·计算模型和方法 | 第99-101页 |
| ·结果和讨论 | 第101-107页 |
| ·本章小结 | 第107-108页 |
| 参考文献 | 第108-110页 |
| 第七章 总结与展望 | 第110-114页 |
| ·总结 | 第110-111页 |
| ·展望 | 第111-113页 |
| 参考文献 | 第113-114页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第114-116页 |
| 致谢 | 第116页 |
