| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-12页 |
| 第一章 层状纳米管和单晶纳米管 | 第12-32页 |
| ·引言 | 第12-14页 |
| ·单壁碳纳米管 | 第14-16页 |
| ·多壁碳纳米管 | 第16-17页 |
| ·GaN纳米管 | 第17-26页 |
| ·GaN材料简介 | 第17-20页 |
| ·GaN纳米管的理论研究 | 第20-22页 |
| ·GaN纳米管的实验进展 | 第22-26页 |
| ·论文第一部分研究内容及意义 | 第26-27页 |
| 参考文献 | 第27-32页 |
| 第二章 理论研究方法 | 第32-56页 |
| ·经验势方法 | 第32-39页 |
| ·Stillinger-Weber势模型 | 第32-36页 |
| ·Tersoff势模型 | 第36-39页 |
| ·分子动力学 | 第39-44页 |
| ·分子动力学的基本方程 | 第40-41页 |
| ·分子动力学算法 | 第41页 |
| ·分子动力学模拟的基本步骤 | 第41-44页 |
| ·密度泛函理论 | 第44-52页 |
| ·绝热近似 | 第44-45页 |
| ·单电子近似 | 第45-47页 |
| ·Hartree-Fock方法 | 第45-46页 |
| ·密度泛函方法 | 第46-47页 |
| ·多电子体系的密度泛函理论 | 第47-52页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第47-48页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第48-49页 |
| ·交换相关能量泛函 | 第49-52页 |
| ·本论文所采用的基于密度泛函理论的计算软件包 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 第三章 GaN纳米管的结构和性质 | 第56-94页 |
| ·单晶GaN纳米管的结构 | 第56-61页 |
| ·单晶GaN纳米管的力学性质 | 第61-67页 |
| ·完美单晶GaN纳米管的力学性质 | 第61-63页 |
| ·空位和晶界对单晶GaN纳米管的力学性质的影响 | 第63-67页 |
| ·单晶GaN纳米管的电子结构性质 | 第67-76页 |
| ·单晶GaN纳米管的光学性质 | 第76-78页 |
| ·H吸附对单晶GaN纳米管的电子结构和光学性质的影响 | 第78-87页 |
| ·GaN纳米管的振动性质 | 第87-91页 |
| ·本章小节 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-94页 |
| 第四章 紧束缚势方法的发展 | 第94-116页 |
| ·引言 | 第94-95页 |
| ·紧束缚势方法简介 | 第95-99页 |
| ·紧束缚势方法中矩阵元的表述 | 第99-108页 |
| ·r~(-n)标度方案 | 第99-102页 |
| ·无对势项的紧束缚方案 | 第102-103页 |
| ·紧束缚势方法中的自洽方案 | 第103-106页 |
| ·关于紧束缚势方法中哈密顿矩阵对角元的讨论 | 第106-108页 |
| ·已有的GaN紧束缚势模型 | 第108-112页 |
| ·本章小节 | 第112-113页 |
| 参考文献 | 第113-116页 |
| 第五章 GaN紧束缚势模型 | 第116-144页 |
| ·GaN紧束缚势模型中的经验公式 | 第116-117页 |
| ·紧束缚势分子动力学 | 第117-119页 |
| ·GaN紧束缚势模型中参数的确定 | 第119-132页 |
| ·Ga-Ga参数的确定 | 第119-126页 |
| ·N-N参数的确定 | 第126-128页 |
| ·Ga-N参数的确定 | 第128-132页 |
| ·键长修正 | 第132-133页 |
| ·GaN紧束缚势模型的测试 | 第133-141页 |
| ·晶格常数和体弹性模量 | 第133-134页 |
| ·GaN晶体的熔化行为 | 第134-137页 |
| ·GaN晶体的振动性质 | 第137页 |
| ·GaN晶体表面 | 第137-138页 |
| ·GaN纳米管的力学和电子结构性质 | 第138-140页 |
| ·紧束缚势方法计算时间测试 | 第140-141页 |
| ·本章小节 | 第141-142页 |
| 参考文献 | 第142-144页 |
| 附录一 采用键积分表示的能量积分 | 第144-150页 |
| 论文期间成果 | 第150-154页 |
| 致谢 | 第154页 |