| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 前言 | 第7-11页 |
| 1 环境半导体材料简介 | 第7-8页 |
| 2 材料计算与设计简介 | 第8-9页 |
| 3 论文的主要工作内容及意义 | 第9-11页 |
| 第一章 环境半导体光电子材料β-FeSi_2简介 | 第11-19页 |
| 引言 | 第11页 |
| ·β-FeSi_2的晶体结构 | 第11-14页 |
| ·晶体结构 | 第11-12页 |
| ·结构稳定性 | 第12-13页 |
| ·β-FeSi_2/Si的界面取向关系 | 第13-14页 |
| ·β-FeSi_2的能带结构 | 第14-16页 |
| ·β-FeSi_2的电学和光学性质 | 第16页 |
| ·β-FeSi_2的导电性 | 第16页 |
| ·薄膜β-FeSi_2的光学常数 | 第16页 |
| ·β-FeSi_2的制备技术 | 第16-19页 |
| ·固相外延法 | 第17页 |
| ·反应沉积外延法 | 第17页 |
| ·离子束合成和离子束混合 | 第17-18页 |
| ·磁控溅射 | 第18-19页 |
| 第二章 固体能带理论及计算方法概述 | 第19-49页 |
| 引言 | 第19-20页 |
| ·密度泛函理论 | 第20-38页 |
| ·密度泛函理论(DFT) | 第20-30页 |
| ·赝势 | 第30-32页 |
| ·分子轨道的自洽求解 | 第32-36页 |
| ·CASTEP软件的几项关键技术 | 第36-38页 |
| ·CASTEP软件的结构和使用方法 | 第38-47页 |
| ·CASTEP软件的结构 | 第38-39页 |
| ·计算任务的设置 | 第39-45页 |
| ·计算结果的分析 | 第45-47页 |
| ·CASTEP软件的主要功能 | 第47-49页 |
| 第三章 β-FeSi_2的能带结构及光学性质研究 | 第49-62页 |
| 引言 | 第49-50页 |
| ·理论模型和计算方法 | 第50-52页 |
| ·理论模型 | 第50页 |
| ·计算方法 | 第50-51页 |
| ·光学性质的理论描述 | 第51-52页 |
| ·计算结果与讨论 | 第52-61页 |
| ·体系优化 | 第52-53页 |
| ·能带结构 | 第53-54页 |
| ·电子态密度 | 第54-56页 |
| ·光学特性 | 第56-61页 |
| ·小结 | 第61-62页 |
| 第四章 硅基外延β-FeSi_2能带结构及光学特性研究 | 第62-84页 |
| 引言 | 第62页 |
| ·理论模型及计算方法 | 第62-63页 |
| ·理论模型 | 第62页 |
| ·计算方法 | 第62-63页 |
| ·β-FeSi_2/Si的界面取向关系 | 第63-64页 |
| ·计算结果与讨论 | 第64-83页 |
| ·体系优化 | 第64-65页 |
| ·能带结构 | 第65-74页 |
| ·电子态密度 | 第74-76页 |
| ·光学特性 | 第76-83页 |
| ·小结 | 第83-84页 |
| 第五章 Fe_(1-x)M_xSi_2(X=0.125)的能带结构及光学特性研究 | 第84-98页 |
| 引言 | 第84页 |
| ·理论模型及计算方法 | 第84-86页 |
| ·理论模型 | 第84-85页 |
| ·计算方法 | 第85-86页 |
| ·计算结果及分析 | 第86-96页 |
| ·几何结构 | 第86-87页 |
| ·能带结构 | 第87-90页 |
| ·光学性质 | 第90-96页 |
| ·小结 | 第96-98页 |
| 第六章 结论 | 第98-100页 |
| ·工作总结 | 第98-99页 |
| ·需要进一步研究的内容 | 第99-100页 |
| 致谢 | 第100-101页 |
| 参考文献 | 第101-109页 |
| 附录:发表论文及参加课题 | 第109-110页 |