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宽带隙半导体表面电子结构和磁性研究

摘要第1-10页
ABSTRACT第10-12页
符号说明第12-13页
第一章 绪论第13-20页
   ·金刚石材料研究背景及意义第13-14页
   ·自旋电子学与稀磁半导体材料第14-16页
   ·可见光光催化半导体材料第16-18页
 参考文献第18-20页
第二章 密度泛函理论基础第20-31页
   ·第一性原理计算和密度泛函理论的基本概念第20-23页
     ·从波函数到电子密度第20-21页
     ·Hohenberg-Kohn(HK)定理第21-22页
     ·Kohn-Sham方程第22-23页
   ·交换相关能量泛函第23-26页
     ·局域密度近似(Local density approximation,LDA)第23-24页
     ·广义梯度近似(Generalized Gradient Approximation,GGA)第24-25页
     ·杂化密度泛函(Hybrid Density Function)第25-26页
     ·密度泛函理论的修改与扩展第26页
   ·常用软件包简介第26-29页
 参考文献第29-31页
第三章 乙烯分子吸附金刚石(100)表面的理论研究第31-40页
   ·实验和理论研究背景第31页
   ·计算与方法第31-33页
   ·结果与讨论第33-38页
     ·乙烯与金刚石的反应机理第33-35页
     ·激进子单链反应的先决条件第35-36页
     ·电子结构第36-38页
   ·本章小结第38-39页
 参考文献第39-40页
第四章 氮化镓纳米晶磁性的研究第40-48页
   ·实验和理论研究背景第40-41页
   ·计算方法与模型第41-42页
   ·结果与讨论第42-46页
     ·结构及稳定性第42-43页
     ·表面电子结构第43-44页
     ·氮化镓表面铁磁耦合机制第44-45页
     ·居里温度估算第45-46页
   ·本章小结第46-47页
 参考文献第47-48页
第五章 硼杂质对二氧化钛(110)表面光催化性质的影响第48-61页
   ·实验和理论研究背景第48页
   ·计算方法与模型第48-50页
   ·结果与讨论第50-58页
     ·硼替位TiO_2中的氧原子第50-53页
     ·硼替位TiO_2中的钛原子第53-55页
     ·硼位于TiO_2间隙中或吸附在TiO_2(110)表面上第55-57页
     ·TiO_2表面上桥位氧空位第57-58页
   ·本章小结第58-59页
 参考文献第59-61页
第六章 结束语第61-62页
攻读硕士学位发表论文目录和获奖情况第62-64页
致谢第64-65页
学位论文评阅及答辩情况表第65页

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