| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-24页 |
| ·极性宽禁带半导体 | 第12-18页 |
| ·宽禁带半导体GaN 与ZnO | 第12-14页 |
| ·GaN：与“极性”密不可分的历史 | 第14-16页 |
| ·ZnO 纳米结构中的“极性” | 第16-18页 |
| ·微结构的研究与新效应的发现 | 第18-20页 |
| ·材料微结构的研究意义 | 第18页 |
| ·异质外延GaN：微结构决定其光、电特性 | 第18-20页 |
| ·ZnO 纳米线：近乎理想的晶体 | 第20页 |
| ·本论文的研究内容与安排 | 第20-24页 |
| 第二章 材料微结构研究基础 | 第24-31页 |
| ·电子与晶格作用 | 第24-27页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第25页 |
| ·透射电子显微镜 | 第25-27页 |
| ·X 射线与晶格作用 | 第27-28页 |
| ·原子间作用力 | 第28-29页 |
| ·光子的吸收 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 MOCVD 异质外延 GaN 的微结构及其电学性质 | 第31-49页 |
| ·MOCVD 异质外延生长GaN 工艺 | 第31-32页 |
| ·GaN 外延薄膜的微结构特性 | 第32-40页 |
| ·衬底与缓冲层界面的微结构 | 第33页 |
| ·产生于缓冲层内部的微结构 | 第33-36页 |
| ·高温GaN 层的微结构 | 第36-38页 |
| ·裂纹形成机制的进一步研究 | 第38-40页 |
| ·GaN 层位错对AlGaN/GaN 异质结构电学特性的影响 | 第40-48页 |
| ·位错的电学性质 | 第40-42页 |
| ·极化限制的2DEG | 第42页 |
| ·微结构与电学性质对应关系研究的实验方法 | 第42-44页 |
| ·GaN 内刃位错引起的局部压电极化增强效应 | 第44-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 横向生长效应决定的 GaN 微结构及光学性质 | 第49-65页 |
| ·由GaN 和 ZnO 对比看横向生长效应 | 第49页 |
| ·横向生长效应决定的高温层 GaN 微结构 | 第49-54页 |
| ·GaN 高温层横向生长的决定因素 | 第49-50页 |
| ·不同横向生长速度下位错形貌 | 第50-52页 |
| ·横向生长效应对微结构影响的作用机制 | 第52-54页 |
| ·横向生长对外延 GaN 发光效率的影响 | 第54-58页 |
| ·有关GaN 发光效率的争论 | 第54-55页 |
| ·位错的非辐射复合 | 第55-56页 |
| ·位错形貌和晶粒间距对发光效率的影响 | 第56-58页 |
| ·横向生长对表面形貌及光学性质的影响 | 第58-64页 |
| ·GaN 的表面形貌 | 第58-61页 |
| ·横向生长对表面形貌的影响 | 第61-62页 |
| ·位错与深能级发光 | 第62-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 极性在 GaN 腐蚀过程中产生的效应与应用 | 第65-86页 |
| ·极性面的湿法选择性腐蚀 | 第65-67页 |
| ·湿法选择性腐蚀 | 第65页 |
| ·Ga 极性面的化学稳定性 | 第65-66页 |
| ·有关GaN 湿法腐蚀的争议 | 第66-67页 |
| ·极性在腐蚀坑形成过程中的关键作用 | 第67-74页 |
| ·腐蚀表面形貌演化 | 第67-69页 |
| ·三种腐蚀坑形状 | 第69-72页 |
| ·极性的关键作用 | 第72-73页 |
| ·进一步验证 | 第73-74页 |
| ·GaN 单晶缺陷种类和密度的检测 | 第74-79页 |
| ·湿法腐蚀准确估计不同类型位错密度 | 第74-77页 |
| ·湿法腐蚀显示的反向边界 | 第77页 |
| ·湿法腐蚀显示的小角晶界 | 第77-79页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结构的生长机理研究方面的应用 | 第79-82页 |
| ·GaN 基发光二极管(LED)表面粗化 | 第82-83页 |
| ·GaN 多层量子点光电材料的制作 | 第83-85页 |
| ·本章小结 | 第85-86页 |
| 第六章 压电势对 ZnO 纳米线器件电学输运的开关效应 | 第86-104页 |
| ·金属和半导体接触的基本理论 | 第86-89页 |
| ·自发形成的整流特性 | 第89-92页 |
| ·ZnO 纳米电子器件的金半接触问题 | 第89-90页 |
| ·稳定的自发形成的整流特性 | 第90-91页 |
| ·成因分析 | 第91-92页 |
| ·不同应力状态下的ZnO 纳米线压电势分布 | 第92-99页 |
| ·ZnO 纳米线基器件制作过程中的内建应力 | 第92页 |
| ·压电势分布的计算理论模型 | 第92-95页 |
| ·不同应力状态下的压电势分布 | 第95-97页 |
| ·其它影响因素的讨论 | 第97页 |
| ·压电势控制的肖特基势垒 | 第97-99页 |
| ·不同应力状态下ZnO 纳米线输运特性 | 第99-102页 |
| ·ZnO 纳米线应力探测器件的制作 | 第99-100页 |
| ·金属－纳米线－金属接触类型的判据 | 第100页 |
| ·由对称I-V 曲线到整流特性 | 第100-101页 |
| ·由整流到对称I-V 曲线特性 | 第101-102页 |
| ·由欧姆特性到整流输运 | 第102页 |
| ·本章小结 | 第102-104页 |
| 第七章 ZnO 纳米线的无疲劳效应 | 第104-112页 |
| ·纳米电子器件的机械可靠性问题 | 第104-105页 |
| ·ZnO 纳米线的疲劳测试 | 第105-111页 |
| ·传统疲劳测试方法 | 第105-106页 |
| ·原位TEM 技术测试纳米线的疲劳寿命 | 第106-109页 |
| ·纳米线微结构在疲劳测试前后的对比 | 第109-111页 |
| ·ZnO 纳米线无疲劳效应的物理机制 | 第111页 |
| ·本章小结 | 第111-112页 |
| 第八章 结束语 | 第112-115页 |
| 致谢 | 第115-116页 |
| 参考文献 | 第116-126页 |
| 作者攻读博士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第126-129页 |
