| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 前言 | 第8-12页 |
| 1 环境半导体材料简介 | 第8-9页 |
| 2 材料计算与设计简介 | 第9-10页 |
| 3 本论文的研究意义及主要研究内容 | 第10-12页 |
| 第一章 半导体光电子材料BASI2的研究现状 | 第12-18页 |
| 引言 | 第12页 |
| ·BASI2的晶体结构 | 第12-13页 |
| ·BASI2理论上的研究 | 第13-16页 |
| ·BASI2实验上的研究 | 第16页 |
| ·BASI2的制备方法 | 第16页 |
| ·BASI2的热电性质 | 第16-18页 |
| 第二章 固体能带理论及计算方法概述 | 第18-46页 |
| 引言 | 第18-19页 |
| ·密度泛函理论 | 第19-36页 |
| ·密度泛函理论(DFT) | 第19-29页 |
| ·赝势 | 第29-31页 |
| ·分子轨道的自洽求解 | 第31-33页 |
| ·CASTEP软件的几项关键技术 | 第33-36页 |
| ·CASTEP软件的结构和使用方法 | 第36-44页 |
| ·CASTEP软件的结构 | 第36-37页 |
| ·计算任务的设置 | 第37-43页 |
| ·计算结果的分析 | 第43-44页 |
| ·CASTEP软件的主要功能 | 第44-46页 |
| 第三章 块体BASI2电子结构及光学性质的研究 | 第46-56页 |
| 引言 | 第46页 |
| ·理论模型和计算方法 | 第46-48页 |
| ·理论模型 | 第46页 |
| ·计算方法 | 第46-47页 |
| ·光学性质的理论描述 | 第47-48页 |
| ·计算结果与讨论 | 第48-55页 |
| ·体系优化 | 第48-49页 |
| ·能带结构 | 第49-50页 |
| ·电子态密度 | 第50页 |
| ·光学性质 | 第50-55页 |
| ·小结 | 第55-56页 |
| 第四章 硅基外延BASI2电子结构及光学性质研究 | 第56-64页 |
| 引言 | 第56页 |
| ·理论模型及计算方法 | 第56-57页 |
| ·理论模型 | 第56页 |
| ·计算方法 | 第56-57页 |
| ·BASI2(100)//SI(111)的取向关系 | 第57页 |
| ·计算结果与讨论 | 第57-63页 |
| ·体系优化 | 第57-58页 |
| ·能带结构 | 第58-60页 |
| ·态密度 | 第60-61页 |
| ·光学性质 | 第61-63页 |
| ·小结 | 第63-64页 |
| 第五章 应力作用下BASI2电子结构及光学性质研究 | 第64-72页 |
| 引言 | 第64页 |
| ·计算结果与讨论 | 第64-70页 |
| ·能带结构 | 第65-66页 |
| ·态密度 | 第66-67页 |
| ·光学性质 | 第67-70页 |
| ·小结 | 第70-72页 |
| 第六章 BA1-XMXSI2(X=0.125) (M=SR、GA、IN)电子结构及光学性质研究 | 第72-84页 |
| 引言 | 第72页 |
| ·理论模型及计算方法 | 第72-73页 |
| ·理论模型 | 第72-73页 |
| ·计算方法 | 第73页 |
| ·计算结果及分析 | 第73-82页 |
| ·几何结构 | 第73-74页 |
| ·能带结构 | 第74-78页 |
| ·光学性质 | 第78-82页 |
| ·小结 | 第82-84页 |
| 第七章 结论 | 第84-86页 |
| 致谢 | 第86-87页 |
| 参考文献 | 第87-91页 |
| 附录:发表论文及参加课题 | 第91-92页 |
