| 摘要 | 第1-11页 |
| 英文摘要 | 第11-14页 |
| 第一章 引论 | 第14-23页 |
| ·密度泛函 | 第15-17页 |
| ·格林函数理论 | 第17-18页 |
| ·LDA 存在的问题 | 第18-19页 |
| ·GWA 的优点 | 第19-21页 |
| 参考文献 | 第21-23页 |
| 第二章 理论 | 第23-46页 |
| ·格林函数和自能 | 第23-27页 |
| ·响应函数和极化函数 | 第27-28页 |
| ·Hedin 方程 | 第28-29页 |
| ·准粒子 | 第29-31页 |
| ·GW 近似 | 第31-34页 |
| ·数值计算 | 第34-37页 |
| ·平面波基 | 第35页 |
| ·局域化基 | 第35-36页 |
| ·等离子极近似（PPA） | 第36-37页 |
| ·简化的GW 理论 | 第37-44页 |
| ·静态库仑空穴和屏蔽交换（COHSEX）近似 | 第38-39页 |
| ·改进的COHSEX 近似 | 第39-40页 |
| ·紧束缚模型 | 第40-42页 |
| ·准粒子局域密度近似 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-46页 |
| 第三章 计算程序介绍 | 第46-55页 |
| ·Abinit | 第47-51页 |
| ·Paratec | 第51-55页 |
| 第四章 半芯态电子对硅和锗准粒子能带结构的影响 | 第55-65页 |
| ·导言 | 第55页 |
| ·理论方法 | 第55-57页 |
| ·结果 | 第57-61页 |
| ·讨论 | 第61-62页 |
| ·结论 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
| 第五章 Ba-VI~B族化合物半导体准粒子电子结构 | 第65-86页 |
| ·导言 | 第65页 |
| ·计算参数 | 第65-69页 |
| ·Ba-VIB 族化合物的能带结构 | 第69-81页 |
| ·结果分析与小结 | 第81-85页 |
| 参考文献 | 第85-86页 |
| 第六章 硅基超晶格Si_(1-x)Sn_x/Si | 第86-102页 |
| ·导言 | 第86-91页 |
| ·理论和方法 | 第91-95页 |
| ·芯态效应 | 第91-92页 |
| ·电负性差效应 | 第92页 |
| ·对称性效应 | 第92-93页 |
| ·准粒子近似 | 第93-95页 |
| ·Si 基材料模型 | 第95-96页 |
| ·结果与讨论 | 第96-100页 |
| ·结论 | 第100-102页 |
| 参考文献 | 第102-104页 |
| 致谢 | 第104-105页 |
| 博士论文相关的期刊论文及会议论文 | 第105页 |