当前位置:
首页
--
数理科学和化学
--
物理学
--
半导体物理学
--
杂质和缺陷
半导体单缺陷的量子操控及应用的理论研究
半导体掺杂的若干第一性原理研究
氧化锌的p型掺杂和室温稀磁特性研究
Cu掺杂ZnO稀磁半导体的制备、微观结构和磁特性研究
离子注入6H-SiC引起的损伤及其光学性质的研究
GaAs/AlGaAs多量子阱材料的辐照效应研究
AlGaAs:Sn混晶中DX中心能级的精细结构
Mn掺杂的GaN半导体材料局域结构的研究
化合物半导体的正电子寿命谱研究
SiO2/6H-SiC界面特性及其氧化层缺陷研究
纳米微粒的生成、结构特征和相关的基本光学性质
纤锌矿CdxZn1-xO与闪锌矿CdxZn1-xSe电子结构的第一性原理研究
ZnO材料中的缺陷和掺杂的理论研究
半导体掺杂和表面若干稳定结构及其性质
Alpha-石英晶体掺杂特性的第一性原理研究
电场下应变GaN/AlxGa1-xN异质结中的杂质态及压力效应
碳化硼在金刚石锯片烧结中的应用研究
ZnO中的杂质行为与p型掺杂
[1]