| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-42页 |
| ·ZnO材料概述 | 第10-12页 |
| ·ZnO的掺杂概述及其单极性掺杂倾向 | 第12-16页 |
| ·ZnO的n型掺杂与p型掺杂研究现状 | 第16-32页 |
| ·n型掺杂 | 第16-17页 |
| ·p型掺杂 | 第17-29页 |
| ·共掺(co-doping) | 第29-32页 |
| ·阻碍ZnO形成有效p型掺杂的主要因素及其可能的解决途径 | 第32-34页 |
| ·论文的主要研究内容与结构 | 第34-37页 |
| 参考文献 | 第37-42页 |
| 第2章 蓝宝石上高质量非掺ZnO薄膜中的杂质来源与性质 | 第42-61页 |
| ·引言 | 第42-44页 |
| ·样品制备与表征 | 第44-45页 |
| ·样品生长细节 | 第44页 |
| ·表征方法 | 第44-45页 |
| ·结果与讨论 | 第45-58页 |
| ·表面形貌与晶体结构 | 第45-46页 |
| ·电学性质 | 第46-50页 |
| ·铝元素的扩散 | 第50-51页 |
| ·热扩散Al元素与薄膜电学性质的关联 | 第51-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
| 第3章 N掺杂ZnO薄膜中的碳杂质 | 第61-78页 |
| ·引言 | 第61-64页 |
| ·实验概述 | 第64-65页 |
| ·结果与讨论 | 第65-76页 |
| ·影响ZnO薄膜内C元素掺入量的因素及C的抑制 | 第65-70页 |
| ·C元素在ZnO薄膜中的形态与位置 | 第70-76页 |
| ·本章小结 | 第76页 |
| 参考文献 | 第76-78页 |
| 第4章 N掺杂ZnO薄膜中的杂质补偿行为与生长调控 | 第78-98页 |
| ·引言 | 第78-79页 |
| ·N与C相关复合体补偿的抑制和N掺杂ZnO中p型的实现 | 第79-90页 |
| ·实验介绍 | 第79-80页 |
| ·结果与讨论 | 第80-90页 |
| ·蓝宝石衬底与ZnO模板上N掺杂ZnO薄膜的性质比较 | 第90-95页 |
| ·实验介绍 | 第90-91页 |
| ·表面形貌与晶格质量 | 第91-92页 |
| ·光电性质与能谱分析 | 第92-95页 |
| ·本章小结 | 第95-96页 |
| 参考文献 | 第96-98页 |
| 第5章 Te/N共掺ZnO薄膜中的杂质调控与p型掺杂 | 第98-115页 |
| ·引言 | 第98-99页 |
| ·实验概述 | 第99-100页 |
| ·结果与讨论 | 第100-112页 |
| ·本章小结 | 第112页 |
| 参考文献 | 第112-115页 |
| 第6章 结论 | 第115-117页 |
| 致谢 | 第117-118页 |
| 发表论文与会议报告 | 第118-120页 |
