| 第一章 综述 | 第1-15页 |
| ·SiC半导体材料 | 第7-9页 |
| ·SiC器件的主要工艺 | 第9-11页 |
| ·SiC热氧化生长SiO_2 | 第11-13页 |
| ·本论文工作研究的重点 | 第13-14页 |
| 参考文献 | 第14-15页 |
| 第二章 实验原理和测试方法 | 第15-31页 |
| ·高频C-V测试原理 | 第15-20页 |
| ·电子湮没技术(PAT)的应用 | 第20-28页 |
| ·红外光谱技术应用 | 第28-30页 |
| 参考文献 | 第30-31页 |
| 第三章 SiO_2／SiC界面特性C-V测试分析 | 第31-41页 |
| ·实验样品制备 | 第31页 |
| ·室温无光照时SiO_2／SiC电容的C-V特性 | 第31-35页 |
| ·SiC MOS电容的光照C-V特性 | 第35-38页 |
| ·小结 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-41页 |
| 第四章 SiO_2／SiC氧化层缺陷的正电子湮没研究 | 第41-48页 |
| ·实验样品与实验设备 | 第41-42页 |
| ·SiC氧化后N_2下退火效果 | 第42-47页 |
| ·小结 | 第47页 |
| 参考文献 | 第47-48页 |
| 第五章 对SiC氧化层特性的红外光谱研究 | 第48-53页 |
| ·红外吸收光谱技术 | 第48页 |
| ·SiO_2／SiC的红外反射光谱 | 第48-52页 |
| 参考文献 | 第52-53页 |
| 总结 | 第53-54页 |
| 附录 | 第54-55页 |
| 声明 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56页 |