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半导体掺杂的若干第一性原理研究

中文摘要第1-5页
Abstract第5-9页
第一章 前言第9-13页
   ·自旋电子学材料与器件简介第9-10页
   ·半金属材料第10-11页
   ·研究方法和研究目的第11-13页
第二章 理论基础第13-26页
 1 量子多体问题第13-17页
   ·薛定谔方程第13-14页
   ·玻恩-奥本海默近似第14-16页
   ·计算电子结构的数值方法第16-17页
 2 密度泛函理论第17-26页
   ·Thomas-Fermi模型第17-18页
   ·Hohenberg-Kohn定理第18-21页
   ·Kohn-Sham方程第21-22页
   ·交换关联泛函第22-24页
   ·Kohn-Sham方程的求解第24-25页
   ·本文采用的计算软件包第25-26页
第三章 压强作用下Yb掺杂SiC的第一性原理研究第26-37页
 1 引言第26-27页
 2 模型构建与计算方法第27-28页
 3 计算结果与讨论第28-35页
   ·晶体结构第28-30页
   ·压强作用下化合物的磁性第30-31页
   ·态密度第31-33页
   ·重费米子体系第33-34页
   ·双交换机制第34-35页
 4 小结第35-37页
第四章 应力诱导作用下Mg、Ca、Sr、Ba掺杂SiC、GaN的半金属性第37-50页
 1 引言第37-38页
 2 计算方法第38页
 3 计算结果和讨论第38-47页
   ·晶体结构第38-40页
   ·磁性与态密度第40-41页
   ·应变的各向同性与各向异性第41-47页
   ·价带和导带第47页
 4 小结第47-50页
第五章 结论和展望第50-52页
参考文献第52-56页
论文发表情况第56-57页
致谢第57页

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