| 摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-32页 |
| ·自旋电子学 | 第9-12页 |
| ·稀磁半导体(DMS) | 第12-17页 |
| ·DMSs的物理性质 | 第13-14页 |
| ·DMSs的磁性起源 | 第14-16页 |
| ·DMSs的研究进展 | 第16-17页 |
| ·Mn掺杂的GaN DMSs的研究进展 | 第17-26页 |
| ·Mn掺杂的GaN DMSs的理论计算 | 第17-20页 |
| ·Mn掺杂的GaN DMSs的实验研究进展 | 第20-26页 |
| ·Mn掺杂的GaN的生长 | 第20页 |
| ·Mn掺杂的GaN磁学性质 | 第20-23页 |
| ·Mn掺杂的GaN结构性质 | 第23-24页 |
| ·Mn掺杂的GaN电学和光学性质 | 第24-26页 |
| ·论文的主要内容 | 第26-28页 |
| 参考文献 | 第28-32页 |
| 第二章 Mn掺杂的GaN和GaAs薄膜的制备系统和表征方法简介 | 第32-39页 |
| ·制备薄膜的系统 | 第32-34页 |
| ·薄膜表征方法简介 | 第34-39页 |
| ·X射线衍射 | 第34-36页 |
| ·拉曼光谱 | 第36-39页 |
| 第三章 同步辐射X射线吸收 | 第39-50页 |
| ·同步辐射 | 第39-41页 |
| ·同步辐射特点 | 第39页 |
| ·同步辐射的发展 | 第39-41页 |
| ·X射线吸收 | 第41-49页 |
| ·X射线吸收原理 | 第41-45页 |
| ·吸收基础理论 | 第45-49页 |
| 参考文献 | 第49-50页 |
| 第四章 GaN:Mn薄膜的局域结构研究 | 第50-76页 |
| ·引言 | 第50页 |
| ·样品的制备 | 第50-51页 |
| ·X射线衍射(XRD)谱 | 第51页 |
| ·拉曼(Raman)光谱 | 第51-52页 |
| ·X射线吸收谱(XAS) | 第52-72页 |
| ·XAS测试和数据采集 | 第53页 |
| ·XAS谱的理论模拟计算 | 第53-55页 |
| ·Mn的掺杂浓度对Ga_(1-x)Mn_xN薄膜局域结构的影响 | 第55-67页 |
| ·Mn的掺杂浓度对Ga_(1-x)Mn_xN薄膜p-d耦合杂化的影响 | 第67-72页 |
| ·小结 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-76页 |
| 第五章 GaAs:Mn薄膜的局域结构研究 | 第76-92页 |
| ·引言 | 第76页 |
| ·样品的制备 | 第76-77页 |
| ·拉曼(Raman)光谱 | 第77-78页 |
| ·XAFS测试和数据采集 | 第78-79页 |
| ·EXAFS与NEXAFS结果与分析 | 第79-89页 |
| ·小结 | 第89-91页 |
| 参考文献 | 第91-92页 |
| 第六章 结论 | 第92-94页 |
| 攻读博士学位期间的主要工作及结果 | 第94-95页 |
| 致谢 | 第95-96页 |
