摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-11页 |
1 绪论 | 第11-35页 |
·引言 | 第11-12页 |
·ZnO 的基本性质 | 第12-14页 |
·p 型 ZnO 材料的研究进展 | 第14-21页 |
·I 族元素在 ZnO 中的 p 型掺杂 | 第15-17页 |
·V 族元素在 ZnO 中的 p 型掺杂 | 第17-20页 |
·p 型 ZnO 的共掺杂研究 | 第20-21页 |
·ZnO 基稀磁半导体的研究进展 | 第21-33页 |
·过渡金属掺杂 ZnO 稀磁半导体的研究现状 | 第21-28页 |
·ZnO 基稀磁半导体磁性机理研究进展 | 第28-33页 |
·论文的选题依据及研究内容 | 第33-35页 |
·本论文的选题依据 | 第33页 |
·本论文的研究内容 | 第33-35页 |
2 ZnO 薄膜的制备及表征手段 | 第35-51页 |
·ZnO 薄膜的制备 | 第35-37页 |
·射频磁控溅射原理 | 第35-36页 |
·样品制备流程 | 第36-37页 |
·离子注入技术 | 第37-40页 |
·退火(热处理) | 第40-41页 |
·样品的分析和表征手段 | 第41-51页 |
·X 射线衍射 | 第41-42页 |
·霍尔测试 | 第42-44页 |
·光致发光 | 第44-45页 |
·扫描电子显微镜 | 第45-46页 |
·双光束紫外-可见光分度计 | 第46页 |
·X 射线光电子能谱仪 | 第46-48页 |
·拉曼光谱 | 第48-49页 |
·超导量子干涉磁强计 | 第49-51页 |
3 N 离子注入 ZnO 单晶的 p 型掺杂研究 | 第51-67页 |
·引言 | 第51-52页 |
·N 离子注入 ZnO 单晶及热处理过程 | 第52-53页 |
·N 离子注入剂量对 ZnO 单晶结构和发光特性的影响 | 第53-56页 |
·N 离子注入剂量对 ZnO 单晶结构的影响 | 第53-55页 |
·N 离子注入剂量对 ZnO 单晶发光特性的影响 | 第55-56页 |
·退火对 N 离子注入 ZnO 单晶的结构、光学和电学特性的影响 | 第56-64页 |
·N 掺杂 ZnO 单晶的电学特性 | 第57-58页 |
·N 掺杂 ZnO 单晶的 Raman 光谱 | 第58-59页 |
·N 掺杂 ZnO 单晶的光电子能谱 | 第59-61页 |
·N 掺杂 ZnO 单晶的光学特性 | 第61-64页 |
·本章小结 | 第64-67页 |
4 Mn 掺杂 ZnO 薄膜的制备及物性研究 | 第67-85页 |
·Mn 掺杂 ZnO 薄膜的制备 | 第67-68页 |
·Mn 掺杂 ZnO 薄膜物性的影响 | 第68-77页 |
·Mn 掺杂 ZnO 薄膜的组分和结构 | 第68-72页 |
·Mn 掺杂 ZnO 薄膜 Raman 光谱 | 第72-74页 |
·Mn 掺杂 ZnO 薄膜光学特性 | 第74-75页 |
·Mn 掺杂 ZnO 薄膜的电学性能 | 第75-77页 |
·Mn 掺杂 ZnO 薄膜的磁学特性 | 第77页 |
·Mn 掺杂 ZnO 的电子结构和磁性 | 第77-81页 |
·本征缺陷对 ZnO:Mn 磁性的影响 | 第81-83页 |
·本章小结 | 第83-85页 |
5 Mn-N 共掺 ZnO 薄膜的制备及物性研究 | 第85-111页 |
·引言 | 第85页 |
·热处理对 Mn-N 共掺 ZnO 薄膜物性的影响 | 第85-94页 |
·样品的制备 | 第85-87页 |
·热处理对 Mn-N 共掺 ZnO 薄膜组分和结构的影响 | 第87-91页 |
·热处理对 ZnO:Mn-N 薄膜磁学特性的影响 | 第91-94页 |
·Mn-N 共掺 ZnO 体系的磁性和电子结构 | 第94-104页 |
·Mn 掺杂浓度对 Mn-N 共掺 ZnO 薄膜物性的影响 | 第104-109页 |
·样品的制备 | 第104页 |
·Zn_(1-x)Mn_xO:N 薄膜的 Raman 光谱 | 第104-105页 |
·Zn_(1-x)Mn_xO:N 薄膜的电学特性 | 第105-106页 |
·Zn_(1-x)Mn_xO:N 薄膜的磁学特性 | 第106-109页 |
·本章小结 | 第109-111页 |
6 总结与展望 | 第111-115页 |
·主要结论 | 第111-112页 |
·创新点 | 第112-113页 |
·后续工作与展望 | 第113-115页 |
致谢 | 第115-117页 |
参考文献 | 第117-131页 |
附录 | 第131-132页 |
A 作者在攻读学位期间发表的论文目录 | 第131-132页 |
B 作者在攻读学位期间参加的科研项目 | 第132页 |