| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 第1章 ZnO材料的研究进展 | 第12-50页 |
| ·ZnO的基本性质及其应用前景 | 第12-15页 |
| ·ZnO中的本征缺陷性质 | 第15-26页 |
| ·关于ZnO的光学性质的实验研究 | 第15-17页 |
| ·关于ZnO的电学性质的实验研究 | 第17-19页 |
| ·关于ZnO的光学电学性质的理论研究 | 第19-24页 |
| ·关于ZnO中本征缺陷的热运动研究 | 第24-26页 |
| ·H元素在ZnO中的性质 | 第26-30页 |
| ·ZnO中的p型掺杂 | 第30-40页 |
| ·I族元素在ZnO中的p型掺杂 | 第31-34页 |
| ·V族元素在ZnO中的p型掺杂 | 第34-39页 |
| ·N元素在ZnO中的p型掺杂 | 第34-36页 |
| ·P元素在ZnO中的p型掺杂 | 第36-37页 |
| ·元素As和Sb在ZnO中的p型掺杂 | 第37-39页 |
| ·ZnO中的共掺研究 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-42页 |
| 参考文献 | 第42-50页 |
| 第2章 理论研究方法 | 第50-66页 |
| ·密度泛函理论 | 第50-59页 |
| ·Born-Oppenheimer近似(绝热近似) | 第50-51页 |
| ·Hartree-Fock近似 | 第51-53页 |
| ·密度泛函理论 | 第53-59页 |
| ·Tomas-Fermi-Dirac理论 | 第53-54页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第54页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第54-56页 |
| ·交换关联能量泛函 | 第56-58页 |
| ·本论文所采用的基于密度泛函理论的计算软件包 | 第58-59页 |
| ·计算原子迁移势垒的方法 | 第59-64页 |
| ·常规NEB方法 | 第60-61页 |
| ·改进的CI-NEB方法 | 第61-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-66页 |
| 第3章 ZnO中本征缺陷和I族杂质缺陷的性质 | 第66-91页 |
| ·本征缺陷的电子结构 | 第66-73页 |
| ·研究背景 | 第66页 |
| ·本征缺陷的电子结构 | 第66-73页 |
| ·I族杂质缺陷的电子结构 | 第73-78页 |
| ·研究背景 | 第73-74页 |
| ·I族杂质缺陷的电子结构 | 第74-78页 |
| ·几种本征缺陷的光学和振动性质 | 第78-87页 |
| ·研究背景 | 第78-79页 |
| ·计算方法 | 第79-81页 |
| ·光学性质 | 第81-85页 |
| ·振动性质 | 第85-87页 |
| ·本章小结 | 第87-88页 |
| 参考文献 | 第88-91页 |
| 第4章 ZnO中受主杂质与H的复合体的性质 | 第91-110页 |
| ·研究背景 | 第91-92页 |
| ·ZnO中N-H复合体的性质 | 第92-97页 |
| ·ZnO中Li-H复合体的性质 | 第97-101页 |
| ·ZnO中Cu-H复合体的性质 | 第101-107页 |
| ·本章小结 | 第107-108页 |
| 参考文献 | 第108-110页 |
| 第5章 p型掺杂ZnO导电性质的不稳定性和低效率的研究 | 第110-130页 |
| ·光照诱导的N掺杂ZnO导电性质转变的微观机制 | 第110-117页 |
| ·研究背景 | 第110-111页 |
| ·N迁移引起的导电性质转变 | 第111-113页 |
| ·H迁移引起的导电性质转变 | 第113-116页 |
| ·小结 | 第116-117页 |
| ·V族元素掺杂的p型ZnO中浅受主能级的本质 | 第117-127页 |
| ·研究背景 | 第117页 |
| ·N_o的受主能级与超原胞尺寸的关系 | 第117-118页 |
| ·部分受主缺陷的离化 | 第118-119页 |
| ·受主缺陷的不完全离化 | 第119-121页 |
| ·电子结构分析 | 第121-124页 |
| ·不完全离化观点在其他体系中的应用 | 第124-125页 |
| ·小结 | 第125-127页 |
| 参考文献 | 第127-130页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第130-131页 |
| 致谢 | 第131页 |