| 1 前言 | 第1-10页 |
| 2 正电子湮灭谱学的基本理论 | 第10-18页 |
| ·正电子在固体中的热化 | 第10-11页 |
| ·正电子在固体中的扩散 | 第11-12页 |
| ·正电子的捕获 | 第12-14页 |
| ·二态捕获模型 | 第14-18页 |
| 3 正电子湮灭实验技术 | 第18-32页 |
| ·正电子源 | 第21-22页 |
| ·正电子寿命谱实验 | 第22-27页 |
| ·正电子寿命谱仪的基本原理和装置 | 第23-25页 |
| ·正电子寿命谱的数据处理 | 第25-27页 |
| ·正电子多普勒展宽技术 | 第27-31页 |
| ·正电子多普勒谱仪的基本原理和实验装置 | 第28-29页 |
| ·正电子多普勒谱仪的数据处理 | 第29-31页 |
| ·湮灭辐射角关联技术 | 第31页 |
| ·慢正电子束技术 | 第31-32页 |
| 4 正电子寿命谱仪参数的确定及稳定性的测试 | 第32-40页 |
| ·正电子寿命谱仪参数的确定 | 第33-36页 |
| ·谱仪能窗的调试及标定 | 第33-35页 |
| ·谱仪分辨率的测量 | 第35-36页 |
| ·时间的刻度 | 第36页 |
| ·正电子寿命谱仪稳定性的测试 | 第36-39页 |
| ·谱仪的性能 | 第39-40页 |
| 5 辐照前后n型6H-SiC半导体的缺陷研究 | 第40-49页 |
| ·实验方法 | 第41页 |
| ·正电子寿命谱的测量结果分析与讨论 | 第41-48页 |
| ·辐照前后n型半导体6H-SiC的正电子寿命测量结果 | 第41-44页 |
| ·依赖于费米能级的正电子缺陷捕获模型 | 第44-48页 |
| ·捕获模型的定性描述 | 第44-45页 |
| ·捕获模型的定量描述 | 第45-48页 |
| ·总结 | 第48-49页 |
| 6 总结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |