| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第1章 绪论 | 第13-16页 |
| 1.1 晶体中的单缺陷态:局域化的自旋与电荷 | 第13页 |
| 1.2 本文涉及半导体材料中单缺陷的关键问题之一:固态量子比特 | 第13-15页 |
| 1.3 本文涉及半导体材料中单缺陷的关键问题之二:电化学析氢反应 | 第15-16页 |
| 第2章 密度泛函理论计算介绍 | 第16-23页 |
| 2.1 投影缀加平面波方法 | 第17-20页 |
| 2.2 赝原子轨道方法 | 第20-23页 |
| 第3章 新型立方相氮化硅半导体材料OV色心量子操控的理论计算 | 第23-39页 |
| 3.1 引言 | 第23-28页 |
| 3.2 模型建立与结构优化 | 第28-29页 |
| 3.3 形成能,缺陷能级图和位形坐标图 | 第29-37页 |
| 3.4 自旋相干时间 | 第37-38页 |
| 3.5 本章小结 | 第38-39页 |
| 第4章 单层硫化钼材料析氢反应催化设计相关的理论计算 | 第39-49页 |
| 4.1 引言 | 第39-41页 |
| 4.2 模型建立与结构优化 | 第41-42页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第42-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第5章 纳米多孔石墨烯中拓扑缺陷影响催化性能的实验和理论研究 | 第49-56页 |
| 5.1 引言 | 第49页 |
| 5.2 研究背景 | 第49-50页 |
| 5.3 材料制备 | 第50-52页 |
| 5.4 性能测试 | 第52页 |
| 5.5 氢吸附吉布斯自由能△G的计算 | 第52-55页 |
| 5.6 本章小结 | 第55-56页 |
| 第6章 总结与展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第67页 |
