| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| ·集成电路互连可靠性研究的重要性 | 第9-12页 |
| ·互连技术的主要问题 | 第12-14页 |
| ·铜互连技术 | 第14-15页 |
| ·铜互连的优势 | 第14页 |
| ·铜互连的发展 | 第14-15页 |
| ·本文的研究内容和安排 | 第15-17页 |
| 第二章 铜互连技术可靠性问题 | 第17-29页 |
| ·互连技术的可靠性问题 | 第17页 |
| ·铜互连技术与铝互连技术的差别 | 第17-20页 |
| ·铜与铝的材料特性比较 | 第17-19页 |
| ·互连制造工艺比较 | 第19-20页 |
| ·铜互连的可靠性问题 | 第20-27页 |
| ·铜与铝的特性 | 第20-21页 |
| ·影响铜互连性能的常见因素 | 第21-23页 |
| ·铜互连的主要可靠性问题 | 第23-27页 |
| ·本章小结 | 第27-29页 |
| 第三章 样品制备与实验模拟仿真 | 第29-39页 |
| ·测试系统和测试过程 | 第29-32页 |
| ·样品的制备 | 第32-33页 |
| ·模拟仿真软件 | 第33-37页 |
| ·ISE TCAD 模拟工具简介 | 第34页 |
| ·算法设置 | 第34-35页 |
| ·基本方程 | 第35-36页 |
| ·模拟仿真中的基本模型 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-39页 |
| 第四章 铜互连的电迁移失效特性研究 | 第39-85页 |
| ·基本理论 | 第39-53页 |
| ·金属薄膜的缺陷和扩散 | 第39-41页 |
| ·电迁移的离子流密度 | 第41-43页 |
| ·离子流散度 | 第43-44页 |
| ·电迁移中值失效时间MTF | 第44-46页 |
| ·电迁移失效的影响因素 | 第46-53页 |
| ·铜互连线的电迁移输运机制及模型研究 | 第53-60页 |
| ·电迁移输运模型 | 第53-60页 |
| ·电迁移实验研究 | 第60-82页 |
| ·互连线加速失效测试 | 第60-70页 |
| ·通孔的电迁移特性研究 | 第70-82页 |
| ·提高互连线的电迁移可靠性方法 | 第82-84页 |
| ·本章小结 | 第84-85页 |
| 第五章 铜互连介质击穿特性研究 | 第85-113页 |
| ·铜互连的TDDB 可靠性问题 | 第85-91页 |
| ·铜互连 TDDB 退化概述 | 第85-87页 |
| ·TDDB 退化机理 | 第87-88页 |
| ·铜互连 TDDB 退化的影响因素 | 第88-91页 |
| ·TDDB 退化寿命模型研究 | 第91-98页 |
| ·传统的TDDB 模型 | 第91-93页 |
| ·铜互连TDDB 退化寿命模型 | 第93-98页 |
| ·寿命模型的结果分析 | 第98-102页 |
| ·TDDB 失效时间与温度的关系 | 第98-100页 |
| ·线间距离对 TDDB 失效时间的影响 | 第100-102页 |
| ·铜互连线 TDDB 退化特性仿真研究 | 第102-108页 |
| ·互连线间距的影响 | 第102-105页 |
| ·窄线宽的互连线电场增强效应对 TDDB 寿命的影响 | 第105-108页 |
| ·TDDB 退化实验 | 第108-109页 |
| ·改善 TDDB 特性的措施 | 第109-110页 |
| ·本章小结 | 第110-113页 |
| 第六章 结束语 | 第113-115页 |
| 致谢 | 第115-117页 |
| 参考文献 | 第117-133页 |
| 攻读博士学位期间参加的科研项目和完成的学术论文 | 第133-134页 |