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集成电路铜互连可靠性研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第11-15页
    1.1 铜互连线的发展现状与研究意义第11-12页
    1.2 互连线可靠性的国内外研究现状与发展态势第12-13页
    1.3 本论文的研究内容及章节安排第13-15页
第二章 铜互连技术及其主要可靠性问题第15-26页
    2.1 Cu/低k互连技术第15-17页
        2.1.1 Cu/低k互连工艺第15-17页
        2.1.2 铜互连技术的主要可靠性问题第17页
    2.2 金属可靠性问题第17-22页
        2.2.1 电迁移第17-20页
            2.2.1.1 电迁移的原理第17-19页
            2.2.1.2 电迁移寿命模型第19-20页
        2.2.2 应力迁移第20-22页
            2.2.2.1 应力迁移简介第20页
            2.2.2.2 应力迁移失效物理第20-21页
            2.2.2.3 应力迁移的寿命模型第21-22页
    2.3 电介质可靠性问题第22-25页
        2.3.1 时间相关介质击穿的简介第22页
        2.3.2 时间相关介质击穿原理第22-25页
        2.3.3 时间相关介质击穿失效时间第25页
    2.4 本章小结第25-26页
第三章 趋肤效应对铜互连可靠性的影响第26-48页
    3.1 趋肤效应及其对电迁移寿命的影响第26-31页
        3.1.1 趋肤效应电流密度模型第26-30页
        3.1.2 趋肤效应下的电迁移平均寿命估计第30-31页
    3.2 趋肤效应下的铜互连温度分布以及其对应力迁移的影响第31-41页
        3.2.1 单层互连线热分布及其受趋肤效应的影响第31-36页
        3.2.2 分析多层互连热分布受趋肤效应的影响第36-39页
        3.2.3 趋肤效应下的过孔应力迁移平均寿命变化第39-41页
    3.3 分析TDDB可靠性受趋肤效应的影响第41-46页
        3.3.1 高频电流下的线间电场最大值变化第41-45页
        3.3.2 铜离子扩散机制受交变信号的影响第45-46页
    3.4 本章小结第46-48页
第四章 线边缘粗糙度对铜互连可靠性的影响第48-71页
    4.1 线边沿粗糙度简介第48-49页
    4.2 线边缘粗糙度的主要表征参数第49-51页
    4.3 LER下的互连温度分布以及其对应力迁移的影响第51-58页
        4.3.1 LER电阻率模型第52-55页
        4.3.2 单层互连温度分布与LER的关系第55-56页
        4.3.3 LER对应力迁移平均寿命的影响第56-58页
    4.4 LER对线间电场分布以及TDDB寿命的影响第58-65页
        4.4.1 线间距的局部减小引起的电场分布变化第58-61页
        4.4.2 LER突起尖端电荷积累现象第61-62页
        4.4.3 总电场增强效应第62-63页
        4.4.4 LER下TDDB平均寿命的变化第63-65页
    4.5 分析电迁移平均寿与LER的关系第65-70页
        4.5.1 LER粗糙轮廓下的电流密度分布第65-66页
        4.5.2 具有LER的互连宽度分布规律第66-67页
        4.5.3 LER对电迁移平均寿命的影响第67-70页
    4.6 本章小结第70-71页
第五章 铜互连可靠性与过孔错位的关系第71-88页
    5.1 过孔错位简介第71页
    5.2 过孔错位对过孔电迁移寿命的影响第71-75页
        5.2.1 发生错位的柱形过孔电流密度模型第71-75页
        5.2.2 过孔错位对电迁移平均寿命的影响第75页
    5.3 研究过孔位置变化对应力迁移的影响第75-81页
        5.3.1 铜互连过孔应力分布第75-78页
        5.3.2 应力迁移寿命与过孔位置的关系第78-81页
    5.4 线间介质TDDB寿命与过孔错位的关系第81-86页
        5.4.1 过孔错位对过孔局部电场的影响第81-84页
        5.4.2 不对准过孔的TDDB平均寿命计算第84-86页
    5.5 本章总结第86-88页
第六章 全文总结与展望第88-91页
    6.1 全文总结第88-90页
    6.2 后续工作展望第90-91页
致谢第91-92页
参考文献第92-100页

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