| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第13-15页 |
| 缩略语对照表 | 第15-20页 |
| 第一章 绪论 | 第20-32页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第20-23页 |
| 1.2 三维集成技术 | 第23-27页 |
| 1.2.1 金属线键合技术 | 第23-24页 |
| 1.2.2 球栅阵列封装技术 | 第24-25页 |
| 1.2.3 TSV集成技术 | 第25-27页 |
| 1.3 TSV基3D IC的研究现状 | 第27-30页 |
| 1.3.1 TSV基3D IC电学特性研究进展 | 第28-29页 |
| 1.3.2 TSV基3D IC热学特性研究进展 | 第29页 |
| 1.3.3 TSV基3D IC热机械学特性研究进展 | 第29-30页 |
| 1.4 本文研究工作概况 | 第30-32页 |
| 第二章 基于TSV的3D IC集成技术 | 第32-42页 |
| 2.1 TSV基3D IC的堆叠技术 | 第32-33页 |
| 2.2 TSV基3D IC的工艺技术 | 第33-37页 |
| 2.2.1 对准技术 | 第33-34页 |
| 2.2.2 键合技术 | 第34-35页 |
| 2.2.3 减薄技术 | 第35页 |
| 2.2.4 不同通孔顺序的TSV技术 | 第35-37页 |
| 2.3 TSV制造技术 | 第37-40页 |
| 2.3.1 硅通孔刻蚀 | 第37-38页 |
| 2.3.2 绝缘层淀积 | 第38页 |
| 2.3.3 阻挡层和种子层淀积 | 第38-39页 |
| 2.3.4 硅通孔填充 | 第39页 |
| 2.3.5 表面处理 | 第39-40页 |
| 2.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第三章 TSV的多场理论 | 第42-58页 |
| 3.1 TSV的物理结构 | 第42-44页 |
| 3.2 TSV的电磁场理论 | 第44-49页 |
| 3.3 TSV的电热耦合理论 | 第49-52页 |
| 3.3.1 电生成热理论 | 第49-51页 |
| 3.3.2 热耦合电理论 | 第51-52页 |
| 3.4 TSV的热应力理论 | 第52-56页 |
| 3.4.1 热传导理论 | 第52-54页 |
| 3.4.2 热应力理论 | 第54-56页 |
| 3.5 本章小结 | 第56-58页 |
| 第四章 TSV基3D IC的电学特性研究 | 第58-84页 |
| 4.1 TSV链路的电学特性分析 | 第58-70页 |
| 4.1.1 微带线结构RDL传输线的TSV链路 | 第59-62页 |
| 4.1.2 共面波导结构RDL传输线的TSV链路 | 第62-66页 |
| 4.1.3 共面带状线结构RDL传输线的TSV链路 | 第66-68页 |
| 4.1.4 带状线结构RDL传输线的TSV链路 | 第68-70页 |
| 4.2 3D IC中的不连续结构 | 第70-77页 |
| 4.2.1 RDL层的不连续结构 | 第70-72页 |
| 4.2.2 TSV附近的不连续结构 | 第72-74页 |
| 4.2.3 层间键合的不连续结构 | 第74-77页 |
| 4.3 TSV矩阵的电学特性 | 第77-82页 |
| 4.3.1 TSV阵列中的耦合电容 | 第77-80页 |
| 4.3.2 TSV阵列中的耦合电感 | 第80-81页 |
| 4.3.3 TSV矩阵中的损耗 | 第81-82页 |
| 4.4 本章小结 | 第82-84页 |
| 第五章 TSV基3D IC的热机械可靠性分析 | 第84-102页 |
| 5.1 绝缘层对TSV链路多场性能的影响 | 第84-94页 |
| 5.1.1 绝缘层对电性能的影响分析 | 第84-86页 |
| 5.1.2 绝缘层对热应力性能的影响分析 | 第86-94页 |
| 5.2 共面带状线在多场分析中的优势 | 第94-97页 |
| 5.3 3D IC流体冷却技术 | 第97-101页 |
| 5.3.1 长槽形微流道技术 | 第97-99页 |
| 5.3.2 微针嵌入TSV型流道冷却技术 | 第99-101页 |
| 5.4 本章小结 | 第101-102页 |
| 第六章 结束语 | 第102-104页 |
| 6.1 全文总结 | 第102-103页 |
| 6.2 展望未来 | 第103-104页 |
| 参考文献 | 第104-116页 |
| 致谢 | 第116-118页 |
| 作者简介 | 第118-119页 |