| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-22页 |
| 1-1 CMP后GLSI多层铜布线清洗背景及意义 | 第8-9页 |
| 1-2 Cu线条表面铜氧化物颗粒污染物的产生机理以及危害 | 第9-10页 |
| 1-3 清洗剂的研究进展和存在问题 | 第10-19页 |
| 1-3-1 湿法清洗 | 第11-16页 |
| 1-3-2 干法清洗 | 第16-18页 |
| 1-3-3 清洗剂存在的问题 | 第18-19页 |
| 1-4 清洗技术发展趋势 | 第19-20页 |
| 1-5 本论文的工作设想以及研究内容 | 第20-22页 |
| 第二章 表面铜氧化物颗粒污染的去除机理 | 第22-28页 |
| 2-1 对于生长在铜表面的铜氧化物颗粒的去除原理 | 第22-23页 |
| 2-2 对于吸附在铜表面的铜氧化物颗粒的去除原理 | 第23-25页 |
| 2-2-1 颗粒吸附状态和溶液中颗粒沉积过程 | 第23页 |
| 2-2-2 表面活性剂性质 | 第23-24页 |
| 2-2-3 表面活性剂去除颗粒模型 | 第24-25页 |
| 2-3 PVA刷洗过程中的颗粒去除机制和模型 | 第25-28页 |
| 第三章 清洗实验装置及实验试剂 | 第28-34页 |
| 3-1 清洗设备简介 | 第28页 |
| 3-1-1 超声清洗设备 | 第28页 |
| 3-1-2 PVA清洗设备 | 第28页 |
| 3-2 检测测试设备简介 | 第28-33页 |
| 3-2-1 原子力显微镜 | 第28-30页 |
| 3-2-2 扫描电子显微镜 | 第30页 |
| 3-2-3 金相显微镜 | 第30页 |
| 3-2-4 酸度计 | 第30-31页 |
| 3-2-5 傅里叶变换红外光谱仪 | 第31页 |
| 3-2-6 XP-300台阶仪 | 第31-32页 |
| 3-2-7 X射线光电子能谱仪 | 第32-33页 |
| 3-3 其它设备简介 | 第33页 |
| 3-3-1 E460E抛光机 | 第33页 |
| 3-4 实验试剂简介 | 第33-34页 |
| 第四章 CMP后清洗剂的研究 | 第34-50页 |
| 4-1 H_2O_2对铜表面氧化作用的影响 | 第34-35页 |
| 4-2 CMP后铜表面生成的铜氧化物的XPS检测 | 第35-36页 |
| 4-3 Cu CMP后铜氧化物颗粒及总污染物的去除研究 | 第36-44页 |
| 4-3-1 不同类型螯合剂对铜氧化物颗粒的去除研究 | 第36-38页 |
| 4-3-2 FA/OI型表面活性剂浓度对颗粒的去除研究 | 第38-39页 |
| 4-3-3 复配的清洗剂对铜氧化物颗粒的去除研究 | 第39-40页 |
| 4-3-4 复配的清洗剂对铜表面总污染物的去除研究 | 第40-44页 |
| 4-4 FA/OII型螯合剂对Cu的静态腐蚀作用 | 第44-45页 |
| 4-5 FA/OII型螯合剂在超声作用下对Cu的腐蚀作用 | 第45-46页 |
| 4-6 FA/OII型螯合剂浓度对铜表面粗糙度的影响 | 第46-48页 |
| 4-7 铜光片清洗后表面有机物残留的研究 | 第48-49页 |
| 4-8 本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 全文总结 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 攻读硕士学位期间所取得的相关成果 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
