| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| ·课题研究背景 | 第9-15页 |
| ·集成电路的发展历程 | 第9-10页 |
| ·铜互连线技术及大马士革镶嵌工艺 | 第10-13页 |
| ·化学机械抛光（CMP） | 第13-15页 |
| ·ULSI铜CMP抛光液的研究现状及发展趋势 | 第15-16页 |
| ·课题来源、研究内容、意义 | 第16-18页 |
| ·小结 | 第18-19页 |
| 第二章 化学机械平坦化实验设备及材料 | 第19-29页 |
| ·实验设备 | 第19-23页 |
| ·抛光机 | 第19-20页 |
| ·抛光垫 | 第20页 |
| ·XP-300台阶仪 | 第20-21页 |
| ·电子分析天平 | 第21页 |
| ·Aglient 5600LS原子力显微镜 | 第21-22页 |
| ·LK2005B电化学测试仪 | 第22-23页 |
| ·实验材料 | 第23-27页 |
| ·纳米SiO_2磨料 | 第23-24页 |
| ·FA/O V型螯合剂 | 第24-25页 |
| ·FA/O I型非离子表面活性剂 | 第25-26页 |
| ·氧化剂 | 第26页 |
| ·抛光片 | 第26-27页 |
| ·小结 | 第27-29页 |
| 第三章 组分和工艺条件在 3 inch铜片去除速率的变化规律 | 第29-39页 |
| ·实验条件 | 第29-30页 |
| ·实验设备 | 第29页 |
| ·实验材料 | 第29页 |
| ·实验方法 | 第29-30页 |
| ·抛光液组分对去除速率的影响 | 第30-34页 |
| ·磨料浓度对去除速率的影响 | 第30-31页 |
| ·螯合剂浓度对去除速率的影响 | 第31-33页 |
| ·氧化剂浓度对去除速率的影响 | 第33页 |
| ·非离子表面活性剂浓度对去除速率的影响 | 第33-34页 |
| ·抛光工艺对去除速率和一致性的影响 | 第34-37页 |
| ·压力对去除速率和一致性的影响 | 第34-35页 |
| ·转速对去除速率和一致性的影响 | 第35-36页 |
| ·流量对去除速率和一致性的影响 | 第36-37页 |
| ·小结 | 第37-39页 |
| 第四章 碱性铜抛光液平坦化效率的研究 | 第39-47页 |
| ·实验条件 | 第39-40页 |
| ·实验设备 | 第39页 |
| ·实验材料 | 第39页 |
| ·实验方法 | 第39-40页 |
| ·实验结果 | 第40-44页 |
| ·不同氧化剂下的静态腐蚀速率 | 第40页 |
| ·不同氧化剂下的电化学曲线 | 第40-41页 |
| ·螯合剂含量对平坦化性能的影响 | 第41-42页 |
| ·氧化剂含量对平坦化性能的影响 | 第42-43页 |
| ·新型抛光液平坦化性能测试 | 第43-44页 |
| ·小结 | 第44-47页 |
| 第五章 新型碱性抛光液在 12 inch晶圆上的应用 | 第47-55页 |
| ·碱性抛光液 12 inch 1 层图形片上的应用 | 第47-48页 |
| ·实验设备 | 第47页 |
| ·实验材料 | 第47页 |
| ·实验方法 | 第47-48页 |
| ·实验结果与讨论 | 第48-53页 |
| ·Cu（1:1）抛光实验 | 第48-50页 |
| ·Cu（1:3）抛光实验 | 第50-52页 |
| ·Cu（1:3）图形片实验 | 第52-53页 |
| ·小结 | 第53-55页 |
| 第六章 结论 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 攻读硕士期间所取得的成果 | 第63页 |
