| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| ·集成电路的发展及趋势 | 第9-11页 |
| ·多层铜互连与化学机械平坦化技术 | 第11-13页 |
| ·多层铜互连的引入 | 第11页 |
| ·Cu CMP的发展及趋势 | 第11-13页 |
| ·进一步发展趋势及亟待解决的问题 | 第13-15页 |
| ·低-k介质的引入与低压低磨料CMP技术 | 第14页 |
| ·多层铜布线平坦化核心技术难题-碟形坑和蚀坑 | 第14-15页 |
| ·本文主要研究内容与意义 | 第15-17页 |
| 第二章 化学机械平坦化材料与设备介绍 | 第17-25页 |
| ·碱性精抛液各组分选择及作用 | 第17-21页 |
| ·FA/O螯合剂 | 第17-18页 |
| ·非离子表面活性剂 | 第18-19页 |
| ·磨料 | 第19-20页 |
| ·氧化剂 | 第20-21页 |
| ·实验设备介绍 | 第21-22页 |
| ·抛光机 | 第21页 |
| ·台阶仪 | 第21-22页 |
| ·电子分析天平 | 第22页 |
| ·精抛可行性分析 | 第22-25页 |
| ·Cu的精抛机理分析 | 第23页 |
| ·Ta/TaN的精抛机理分析 | 第23-25页 |
| 第三章 FA/O型多层铜布线碱性精抛液组分与工艺研究 | 第25-35页 |
| ·FA/O型碱性铜精抛液各组分对Cu/Ta去除速率的影响 | 第25-32页 |
| ·FA/O V型螯合剂浓度对Cu/Ta去除速率的影响 | 第26-27页 |
| ·FA/O VI型螯合剂浓度对Cu/Ta去除速率的影响 | 第27-28页 |
| ·氧化剂浓度对Cu/Ta去除速率的影响 | 第28-29页 |
| ·磨料浓度对Cu/Ta去除速率的影响 | 第29-31页 |
| ·活性剂浓度对Cu/Ta去除速率的影响 | 第31-32页 |
| ·小结 | 第32页 |
| ·精抛工艺对Cu/Ta去除速率的影响 | 第32-35页 |
| ·压力的影响 | 第33页 |
| ·转速的影响 | 第33-34页 |
| ·流量的影响 | 第34页 |
| ·小结 | 第34-35页 |
| 第四章 FA/OV型多层铜布线碱性精抛液平坦化性能的研究 | 第35-43页 |
| ·实验部分 | 第35-36页 |
| ·抛光液各成分与工艺参数对抛光一致性的影响 | 第36-38页 |
| ·磨料对一致性的影响 | 第36页 |
| ·活性剂对一致性的影响 | 第36-37页 |
| ·螯合剂、压力对一致性的影响 | 第37页 |
| ·流量对一致性的影响 | 第37-38页 |
| ·转速对一致性的影响 | 第38页 |
| ·抛光液一致性对平坦化的影响 | 第38-43页 |
| ·不同抛光液对铜膜去除速率一致性的影响 | 第38-39页 |
| ·一致性对平坦化的影响 | 第39-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 第五章 FA/OVI型多层铜布线碱性精抛液平坦化性能的研究 | 第43-51页 |
| ·FA/OVI型精抛液抛光速率和静态腐蚀速率 | 第43-46页 |
| ·实验部分 | 第43-44页 |
| ·速率与平坦化表征方法 | 第44-45页 |
| ·协同比对抛光速率和静态腐蚀速率的影响 | 第45-46页 |
| ·FA/OVI型精抛液协同比对平坦化的影响 | 第46-48页 |
| ·动力学理论模型的提出 | 第48-50页 |
| ·小结 | 第50-51页 |
| 结论 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-59页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
