GLSI多层铜布线CMP后清洗颗粒去除的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| ·背景与意义 | 第8-9页 |
| ·Cu布线片表面污染物分类及其危害 | 第9-11页 |
| ·常用的清洗技术及存在问题 | 第11-15页 |
| ·湿法清洗技术 | 第11-13页 |
| ·干法清洗技术 | 第13-15页 |
| ·清洗技术的发展方向 | 第15-16页 |
| ·本论文的研究设想和工作内容 | 第16-18页 |
| 第二章 颗粒吸附理论及去除机理 | 第18-24页 |
| ·颗粒吸附理论简介 | 第18-21页 |
| ·颗粒去除理论简介 | 第21-24页 |
| 第三章 实验设备介绍 | 第24-30页 |
| ·抛光设备介绍 | 第24-25页 |
| ·E460抛光机 | 第24页 |
| ·300mm Reflection LK | 第24-25页 |
| ·清洗设备介绍 | 第25-26页 |
| ·超声清洗机 | 第25页 |
| ·Mirra-mesa抛光后清洗系统 | 第25-26页 |
| ·检测设备介绍 | 第26-30页 |
| ·金相显微镜 | 第26-27页 |
| ·原子力显微镜 | 第27页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第27-28页 |
| ·纳米粒径分析仪 | 第28-30页 |
| 第四章 CMP过程中SiO_2颗粒吸附实验 | 第30-38页 |
| ·不同材料对SiO_2颗粒吸附实验 | 第30-31页 |
| ·抛光液组分对SiO_2颗粒吸附的影响 | 第31-34页 |
| ·硅溶胶含量对SiO_2颗粒吸附的影响 | 第31-32页 |
| ·表面活性剂含量对SiO_2颗粒吸附的影响 | 第32-33页 |
| ·H2O2含量对SiO_2颗粒吸附的影响 | 第33-34页 |
| ·转速对SiO_2颗粒吸附的影响 | 第34-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第五章 FA/O清洗剂的颗粒去除效果研究 | 第38-52页 |
| ·FA/O II型螯合剂在颗粒去除中作用的研究 | 第38-44页 |
| ·FA/O型螯合剂简介 | 第38-39页 |
| ·FA/O II型螯合剂调节pH作用的研究 | 第39-40页 |
| ·FA/O II型螯合剂对氧化铜的去除作用的研究 | 第40-41页 |
| ·FA/O II型螯合剂在颗粒去除中作用的研究 | 第41-44页 |
| ·FA/O I型表面活性剂在颗粒去除中作用的研究 | 第44-48页 |
| ·FA/O I型表面活性剂简介 | 第44页 |
| ·FA/O I型表面活性剂在颗粒去除中作用的研究 | 第44-48页 |
| ·不同稀释倍数的清洗剂清洗效果研究 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 第六章 结论 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 攻读学位期间所取得的研究成果 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60页 |