新型铜互连阻挡层材料Co的CMP研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·大马士革工艺 | 第9-10页 |
| ·化学机械抛光（CMP）技术 | 第10-16页 |
| ·Cu互联 的CMP技术 | 第11-14页 |
| ·CMP机台简介 | 第12-13页 |
| ·CMP耗材 | 第13-14页 |
| ·电化学方法在CMP上的应用 | 第14-15页 |
| ·铜互连CMP的主要挑战 | 第15-16页 |
| ·新型铜阻挡层Co抛光研究介绍 | 第16-17页 |
| ·论文研究内容及目的 | 第17-20页 |
| 第二章 化学机械抛光机理及实验材料的分析研究 | 第20-32页 |
| ·CMP机理 | 第20-21页 |
| ·实验设备 | 第21-26页 |
| ·抛光机 | 第21-22页 |
| ·pH测试计 | 第22-23页 |
| ·称重天平 | 第23-24页 |
| ·台阶仪 | 第24-25页 |
| ·原子力显微镜 | 第25页 |
| ·电化学工作站 | 第25-26页 |
| ·电参数测量 | 第26页 |
| ·阻挡层碱性抛光液成分 | 第26-32页 |
| ·磨料 | 第27-28页 |
| ·表面活性剂 | 第28-29页 |
| ·螯合剂 | 第29-31页 |
| ·氧化剂 | 第31-32页 |
| 第三章 主流阻挡层材料的CMP研究 | 第32-44页 |
| ·Ta阻挡层的化学机械抛光 | 第32-39页 |
| ·磨料浓度对抛光的影响 | 第33-34页 |
| ·活性剂浓度对抛光的影响 | 第34-35页 |
| ·螯合剂浓度对抛光的影响 | 第35页 |
| ·氧化剂浓度及添加剂对抛光的影响 | 第35-39页 |
| ·图形片验证 | 第39-41页 |
| ·本章小结 | 第41-44页 |
| 第四章 Co静态腐蚀及化学机械抛光的基础研究 | 第44-54页 |
| ·样品制备和实验介绍 | 第44-48页 |
| ·静态腐蚀实验 | 第45-47页 |
| ·CMP研究 | 第47-48页 |
| ·Co的静态腐蚀和化学机械抛光实验 | 第48-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 结论 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
