GaAs微波单片集成功率放大电路的研究设计
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·MMIC国内外发展研究动态 | 第8-9页 |
| ·GAAS MMIC与HMIC | 第9-10页 |
| ·单片功率放大器研究现状 | 第10-11页 |
| ·EM电磁场仿真 | 第11-12页 |
| ·本文研究主要内容 | 第12-14页 |
| 第二章 器件模型及工艺简介 | 第14-25页 |
| ·场效应晶体管建模 | 第14-18页 |
| ·小信号模型 | 第15-16页 |
| ·大信号模型 | 第16-17页 |
| ·大、小信号模型的区别与联系 | 第17-18页 |
| ·PHEMT器件模型 | 第18-21页 |
| ·PHEMT发展及电特性 | 第19-20页 |
| ·PHMET模型参数 | 第20-21页 |
| ·无源元件模型 | 第21页 |
| ·MMIC工艺简介 | 第21-25页 |
| 第三章 微波放大器理论基础 | 第25-41页 |
| ·放大器分类及主要技术指标 | 第25-31页 |
| ·放大器分类 | 第25-28页 |
| ·放大器常用性能指标 | 第28-31页 |
| ·放大器工作相关原理 | 第31-35页 |
| ·稳定性分析 | 第31-32页 |
| ·负载牵引技术 | 第32-33页 |
| ·阻抗匹配网络 | 第33-35页 |
| ·设计方法 | 第35-38页 |
| ·分布式 | 第35-36页 |
| ·有耗匹配式 | 第36页 |
| ·负反馈式 | 第36-38页 |
| ·宽带放大器 | 第38-41页 |
| ·晶体管的带宽限制 | 第38-39页 |
| ·宽带放大设计考虑事项 | 第39-41页 |
| 第四章 MMIC设计 | 第41-46页 |
| ·CAD设计 | 第41-43页 |
| ·设计流程 | 第43-46页 |
| 第五章 X波段单片功率放大电路的仿真实现 | 第46-64页 |
| ·设计指标及实现方案 | 第46-47页 |
| ·主要技术指标 | 第46页 |
| ·实现方案 | 第46-47页 |
| ·偏置网络及匹配网络 | 第47-57页 |
| ·偏置网络的设计 | 第47-51页 |
| ·晶体管负载牵引与源牵引 | 第51-53页 |
| ·输入输出匹配网络 | 第53-57页 |
| ·原理图仿真优化 | 第57-64页 |
| 第六章 总结 | 第64-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
