| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| ·原子层淀积工艺 | 第10-15页 |
| ·ALD反应机理 | 第10-11页 |
| ·反应器 | 第11-12页 |
| ·前驱体化学 | 第12-13页 |
| ·工艺窗口 | 第13页 |
| ·薄膜生长速率 | 第13-15页 |
| ·原子层淀积技术的应用 | 第15-20页 |
| ·半导体领域的应用(semiconductor) | 第15-19页 |
| ·电致发光显示(eletroluminescent display) | 第19页 |
| ·催化剂(catalysts)和多孔材料(porous materials) | 第19-20页 |
| ·光学材料(optical materials) | 第20页 |
| ·本文结构 | 第20-21页 |
| 第二章 不同晶向Si衬底上ALD氧化铝高介电常数薄膜的工艺研究 | 第21-39页 |
| ·引言 | 第21-23页 |
| ·制备设备及表征方法 | 第23-25页 |
| ·实验步骤 | 第25-27页 |
| ·实验结果及讨论 | 第27-38页 |
| ·Al_2O_3薄膜厚度结果及分析 | 第27-28页 |
| ·TMA预处理对不同晶向Si衬底ALD生长Al_2O_3的影响 | 第28-34页 |
| ·TMA预处理对不同Si衬底ALD生长Al_2O_3电学特性的影响 | 第34-38页 |
| ·本章小节 | 第38-39页 |
| 第三章 氧化硅上原子层淀积砷化镓初始反应机理的理论研究 | 第39-53页 |
| ·引言 | 第39-46页 |
| ·量子化学计算方法简介 | 第39-43页 |
| ·Gaussian 03计算软件包简介 | 第43-46页 |
| ·计算方法 | 第46-47页 |
| ·计算结果与讨论 | 第47-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 Si(100)-2×1表面原子层淀积掺氮氧化锌初始反应机理的理论研究 | 第53-64页 |
| ·引言 | 第53-55页 |
| ·计算方法 | 第55-56页 |
| ·计算结果及讨论 | 第56-63页 |
| ·二乙基锌半反应的反应路径 | 第57-58页 |
| ·NH_3半反应的反应路径 | 第58-60页 |
| ·H_2O半反应的反应路径 | 第60-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 全文结论 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文目录 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
